發(fā)布時(shí)間：2018-10-12 11:34

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊在工作過程中由于電流、熱量和應(yīng)力的沖擊,各層材料會(huì)不斷退化,通過建立阻容熱網(wǎng)絡(luò)可以得到模塊的整體退化參數(shù)。首先對瞬態(tài)過程降溫與升溫過程熱量傳遞進(jìn)行理論推導(dǎo),比較其優(yōu)劣性。然后通過對各階網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行對比,在不失精度的情況下,選用最簡模型。最后對老化過程中的模塊進(jìn)行退化分析。
[Abstract]:Because of the impact of current, heat and stress, the materials of each layer will degenerate continuously during the operation of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The whole degradation parameters of the module can be obtained by establishing the resistive and capacitive heat network. Firstly, the heat transfer of transient cooling and heating process is theoretically deduced, and its advantages and disadvantages are compared. Then, through the comparison of each order network model, the simplest model is selected without losing the precision. Finally, the degradation analysis of the module in the aging process is carried out.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家科技支撐計(jì)劃(2015BAA09B01)~~
【分類號】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 魏克新;杜明星;;基于集總參數(shù)法的IGBT模塊溫度預(yù)測模型[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2011年12期

2 陳明;胡安;唐勇;汪波;;絕緣柵雙極型晶體管傳熱模型建模分析[J];高電壓技術(shù);2011年02期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 姚芳;劉向向;;IGBT模塊的瞬態(tài)熱特性及其退化研究[J];電力電子技術(shù);2017年03期

2 皮凱云;崔昊楊;李祥;李鑫;束江;;能源并網(wǎng)系統(tǒng)中IGBT模塊的溫度場分布分析[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2017年03期

3 韓立業(yè);孟昭亮;;引入壓接技術(shù)的IGBT模塊熱仿真模型研究[J];微處理機(jī);2017年01期

4 唐波;劉任;吳卓;孫睿;江浩田;;三相電壓源逆變器內(nèi)部IGBT模塊溫度的求解及評估[J];電工電能新技術(shù);2017年02期

5 常桂欽;竇澤春;彭勇殿;方杰;曾雄;;基板拱度類型對IGBT模塊應(yīng)力的影響[J];大功率變流技術(shù);2017年01期

6 黃正興;關(guān)經(jīng)緯;吳昊;余雋;唐禎安;;比較法研究微細(xì)尺度氮化硅表面自然對流換熱[J];電子器件;2016年06期

7 周飛;趙成勇;徐延明;許建中;;考慮熱學(xué)特性的高壓IGBT模塊暫態(tài)模型[J];高電壓技術(shù);2016年07期

8 汪波;羅毅飛;張爍;劉賓禮;;IGBT極限功耗與熱失效機(jī)理分析[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2016年12期

9 關(guān)經(jīng)緯;黃正興;唐禎安;;微熱板中微納空氣間隙傳熱特性研究[J];傳感器與微系統(tǒng);2016年05期

10 李輝;劉盛權(quán);冉立;李洋;胡姚剛;楊東;;大功率并網(wǎng)風(fēng)電機(jī)組變流器狀態(tài)監(jiān)測技術(shù)綜述[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2016年08期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前7條

1 唐勇;陳明;汪波;;電力電子器件短時(shí)脈沖工作的結(jié)溫特性研究[J];電力電子技術(shù);2010年03期

2 唐勇;胡安;陳明;;IGBT柵極特性與參數(shù)提取[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2009年07期

3 保愛林;鄧愛民;傅劍鋒;管國棟;;小封裝二極管的熱阻測試[J];半導(dǎo)體技術(shù);2008年11期

4 趙檜;尹攀;;功率晶體管熱阻測試條件確定方法[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn);2008年01期

5 藍(lán)元良;湯廣福;印永華;周孝信;辛玉梅;;大功率晶閘管熱阻抗分析方法的研究[J];中國電機(jī)工程學(xué)報(bào);2007年19期

6 劉希真,周文俊,尤佳,張立;IGBT工作結(jié)溫的狀態(tài)識別[J];天津大學(xué)學(xué)報(bào);2002年02期

7 李慶民,徐國政,錢家驪,張節(jié)容;大功率GTO等效傳熱模型的研究[J];中國電機(jī)工程學(xué)報(bào);2000年01期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 N.沃馬羅;M.奧蘇基;Y.霍希;S.約希沃塔里;T.米耶塞凱;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場截止型IGBT低注入續(xù)流二極管[J];電力電子;2004年04期

2 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;鄭鵬洲;;多芯片IGBT模塊實(shí)時(shí)熱模型的應(yīng)用[J];電力電子;2012年04期

3 江興;;IGBT芯片和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展[J];半導(dǎo)體信息;2012年02期

4 喬冠梁;丁遠(yuǎn)翔;丁學(xué)文;;IGBT模塊的一種驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[J];國外電子元器件;2007年10期

5 湯姆·亞當(dāng)斯;;IGBT模塊焊錫厚度均勻性的檢測[J];電力電子;2013年02期

6 孫國印;IGBT模塊應(yīng)用中過電壓的抑制[J];電力電子技術(shù);2002年04期

7 宮崎裕二;村\『陫;日吉道明;;適合中高頻應(yīng)用的NFM系列IGBT模塊[J];電力電子技術(shù);2006年04期

8 翟超;郭清;盛況;;IGBT模塊封裝熱應(yīng)力研究[J];機(jī)電工程;2013年09期

9 吳武臣,張華,董利民,Ｍ．Ｈｅｌｄ,Ｐ．Ｓｃａｃｃｏ,Ｐ．Ｊａｃｏｂ;大功率半橋IGBT模塊的鎖定效應(yīng)研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年06期

10 鄭冬冬;;IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊[J];半導(dǎo)體信息;2003年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 劉蕩波;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

2 劉蕩波;張立;張歧寧;王曉寶;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];展望新世紀(jì)——’02學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 江蘇 趙建南;對IGBT模塊過熱保護(hù)設(shè)定溫度的看法[N];電子報(bào);2004年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 吳煜;T字型三電平IGBT模塊瞬態(tài)行為研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 鄒凱凱;高壓IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測試與建模[D];華北電力大學(xué);2015年

3 秦星;風(fēng)電變流器IGBT模塊結(jié)溫計(jì)算及功率循環(huán)能力評估[D];重慶大學(xué);2014年

4 王彥剛;IGBT模塊熱行為及可靠性研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2000年

，

本文編號：2265951