【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊在工作過程中由于電流、熱量和應力的沖擊,各層材料會不斷退化,通過建立阻容熱網絡可以得到模塊的整體退化參數。首先對瞬態(tài)過程降溫與升溫過程熱量傳遞進行理論推導,比較其優(yōu)劣性。然后通過對各階網絡模型進行對比,在不失精度的情況下,選用最簡模型。最后對老化過程中的模塊進行退化分析。
[Abstract]:Because of the impact of current, heat and stress, the materials of each layer will degenerate continuously during the operation of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The whole degradation parameters of the module can be obtained by establishing the resistive and capacitive heat network. Firstly, the heat transfer of transient cooling and heating process is theoretically deduced, and its advantages and disadvantages are compared. Then, through the comparison of each order network model, the simplest model is selected without losing the precision. Finally, the degradation analysis of the module in the aging process is carried out.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【基金】：國家科技支撐計劃(2015BAA09B01)~~
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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【相似文獻】

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本文編號：2265951