【摘要】：硅量子點(Si QDs)的尺寸一般小于10nm,由于量子限域效應(yīng)和表面效應(yīng)而表現(xiàn)出與體硅材料不同的電子和光學性質(zhì),因此硅量子點受到了研究者的關(guān)注。近年來,硅量子點因其新穎的光電性能已經(jīng)被應(yīng)用到光電器件領(lǐng)域,并取得了一系列的研究進展。概述了硅量子點的電子和光學性質(zhì),詳細介紹了國內(nèi)外有關(guān)硅量子點在發(fā)光器件、太陽電池和光探測器3個方面的研究進展,并針對不同類型的硅量子點光電器件的性能進行了分析,認為經(jīng)過堅持不懈的研究,硅量子點能夠在未來光電器件革新中扮演重要角色。
[Abstract]:The size of silicon quantum dots (Si QDs) is generally less than 10 nm. Due to the quantum limiting effect and surface effect, silicon quantum dots exhibit different electronic and optical properties from bulk silicon materials. Therefore, silicon quantum dots have attracted much attention. In recent years, silicon quantum dots (QDs) have been applied to the field of optoelectronic devices due to their novel photoelectric properties, and a series of research advances have been made. The electronic and optical properties of silicon quantum dots are summarized in this paper. The research progress of silicon quantum dots in luminescent devices, solar cells and photodetectors at home and abroad is introduced in detail. The properties of different types of silicon quantum dots are analyzed. It is considered that silicon quantum dots can play an important role in the future photovoltaic device innovation through unremitting research.
【作者單位】： 浙江大學材料科學與工程學院硅材料國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(61222404) 國家973計劃(2013CB632101)
【分類號】：TN304;TN312.8;TM914.4

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2266295