【摘要】：有機(jī)殘余(主要是苯并三氮唑(BTA))和銅表面腐蝕是多層銅布線化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后晶圓缺陷中的兩個(gè)重要問題,針對(duì)BTA去除和銅表面腐蝕抑制提出了一種新的堿性清洗劑。該清洗劑主要由FA/O螯合劑和FA/O表面活性劑組成。FA/O螯合劑對(duì)于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性劑不僅能抑制腐蝕而且促進(jìn)了BTA的去除。通過接觸角測(cè)量、掃描電鏡(SEM)、金相顯微鏡、靜態(tài)腐蝕速率(SER)等實(shí)驗(yàn)及線上測(cè)試研究了該清洗劑的性能,結(jié)果表明清洗劑能有效去除BTA且在抑制銅表面腐蝕方面效果明顯,有效解決了極大規(guī)模集成電路(GLSI)多層銅布線CMP后清洗中的多項(xiàng)技術(shù)難題。
[Abstract]:Organic residues (mainly benzotriazole (BTA) and copper surface corrosion) are two important problems in wafer defects after chemical-mechanical polishing of (CMP) with multilayer copper wiring. A new alkaline cleaning agent is proposed for BTA removal and copper surface corrosion inhibition. The cleaning agent is mainly composed of FA/O chelator and FA/O surfactant. FA-p-O chelating agent plays a major role in removing BTA. FA-p-O surfactant can not only inhibit the corrosion but also promote the removal of BTA. By means of contact angle measurement, scanning electron microscope (SEM),) metallographic microscope, static corrosion rate (SER) and on-line test, the properties of the cleaning agent were studied. The results show that the cleaning agent can remove BTA effectively and has obvious effect on inhibiting copper surface corrosion. It effectively solves several technical problems in CMP cleaning of (GLSI) multilayer copper wiring.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2016ZX02301003-004-007) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61504037) 河北省教育廳資助科研項(xiàng)目(QN2014208) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2013202247);河北省自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(F2015202267) 河北工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀青年科技創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(2015007)
【分類號(hào)】：TN305.2

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