【摘要】：干法刻蝕是壓阻式加速度傳感器制備中的關(guān)鍵工藝,金屬掩膜層的圖形化對(duì)刻蝕結(jié)果尤為重要。金屬掩膜層圖形化的效果影響著壓敏電阻條的刻蝕效果,進(jìn)而影響傳感器性能。利用磁控濺射在Si和SiC襯底上分別濺射金屬Al和Ni作為金屬掩膜層,并對(duì)二者的圖形化效果進(jìn)行對(duì)比,同時(shí)借助激光共聚焦掃描顯微鏡(CLSM)觀察分析金屬腐蝕速率、圖形化后結(jié)構(gòu)的形貌、線寬損失等參數(shù)。實(shí)驗(yàn)證明:對(duì)于小結(jié)構(gòu)(線寬小于50μm)而言,金屬Al由于致密性不好,圖形化后的結(jié)構(gòu)模糊不規(guī)則;金屬Ni作為掩膜層圖形化后的結(jié)構(gòu)形貌清晰、形狀規(guī)則、線寬損失小。
[Abstract]:Dry etching is a key process in the fabrication of piezoresistive accelerometers. The graphic effect of metal mask affects the etching effect of varistor strip, and then affects the performance of sensor. The metal Al and Ni were deposited on Si and SiC substrates respectively by magnetron sputtering, and their graphic effects were compared. At the same time, the corrosion rate of metals was observed and analyzed by confocal scanning microscope (CLSM). The morphologies, linewidth loss and other parameters of the graphical structure. The experimental results show that for the small structure (linewidth less than 50 渭 m), the structure of Al is fuzzy and irregular due to its poor densification, and the shape of Ni as the mask is clear, the shape is regular and the loss of linewidth is small.
【作者單位】： 中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN305.7

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本文編號(hào)：2195377