【摘要】：為研究粗磨硅晶圓亞表面微裂紋,采用截面顯微觀測(cè)法,實(shí)驗(yàn)研究了粗磨工藝下砂輪進(jìn)給速率、砂輪轉(zhuǎn)速和硅晶圓轉(zhuǎn)速對(duì)晶圓亞表面裂紋的影響.結(jié)果表明:磨削后晶圓亞表面斜線裂紋和折線裂紋占70%,中位裂紋、分叉裂紋和橫向裂紋占30%,裂紋形狀與工藝參數(shù)的關(guān)系不大.裂紋深度從晶圓圓心向外逐漸增大,〈110〉晶向裂紋深度稍大于〈100〉晶向.裂紋深度隨砂輪進(jìn)給速率增大單調(diào)增加,隨砂輪轉(zhuǎn)速增大單調(diào)減小.裂紋深度與晶圓轉(zhuǎn)速之間的關(guān)系復(fù)雜,晶圓轉(zhuǎn)速增大時(shí),裂紋深度先是減小,然后增大.提出了磨削工藝參數(shù)的優(yōu)化措施.
[Abstract]:In order to study the subsurface micro-cracks in coarse grinding silicon wafers, the effects of grinding wheel feed rate, wheel speed and silicon wafer speed on the subsurface cracks of silicon wafers were studied experimentally by using cross-section microscopic observation method. The crack depth increases gradually from the center of the wafer to the direction of the wafer. The crack depth increases monotonously with the increase of the feed rate of the grinding wheel and decreases monotonously with the increase of the rotational speed of the grinding wheel. The crack depth first decreases and then increases. The optimization measures of grinding parameters are proposed.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程與應(yīng)用電子技術(shù)學(xué)院;北京中電科電子裝備有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11502005) 國(guó)家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2014ZX02504-001-005)
【分類號(hào)】：TN305

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本文編號(hào)：2195404