【摘要】：研究了SC-1清洗過程對重摻硼和輕摻硼硅片表面顆粒、微粗糙度的影響及其清洗后硅片表面化學(xué)組態(tài)分布,采用表面顆粒激光掃描儀、原子力顯微鏡及X射線光電子能譜(XPS)對重摻硼和輕摻硼硅片在SC-1清洗過程中表現(xiàn)的不同清洗特性進行分析。結(jié)果表明:在SC-1清洗中,重摻硼硅片表面更容易吸附顆粒,需要更長的清洗時間來得到清潔表面;隨清洗時間延長,重輕摻硅片表面微粗糙度均有增大趨勢,且重摻硼硅片表面微粗糙度始終比輕摻硼硅片大,通過表面高度結(jié)果可知,相同清洗條件下,重摻硼硅片表面縱向腐蝕深度比輕摻硼大0.3 nm,與(111)面的晶面間距相近;XPS結(jié)果顯示重摻硼硅單晶中大量硼原子的引入對SC-1清洗過程中的各向異性腐蝕有一定的增強效果,適當(dāng)改變SC-1清洗中的氧化劑的含量有助于得到更好的表面質(zhì)量。
[Abstract]:The effect of SC-1 cleaning process on the surface particles of heavy and light boron doped silicon wafers and the distribution of chemical configuration on the surface of the wafers after cleaning were studied. The surface particle laser scanner was used. Atomic force microscopy (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the different cleaning characteristics of heavy and light boron doped silicon wafers during SC-1 cleaning. The results show that the surface of heavy boron doped silicon wafer is easier to adsorb particles and need longer cleaning time to get clean surface during SC-1 cleaning, and the surface roughness of heavy and light doped silicon wafers increases with the increase of cleaning time. The surface microroughness of heavy boron doped silicon wafer is always greater than that of light boron doped silicon wafer. The results of surface height show that under the same cleaning conditions, The longitudinal corrosion depth of heavy boron doped silicon wafer is 0.3 nm larger than that of light boron doped silicon wafer. The results of XPS show that the introduction of a large number of boron atoms in heavily boron doped silicon single crystal can enhance the anisotropic corrosion during SC-1 cleaning. Proper change of oxidant content in SC-1 cleaning is helpful to obtain better surface quality.
【作者單位】： 北京有色金屬研究總院有研半導(dǎo)體材料有限公司;
【基金】：國家科技重大專項項目(2010zx02302-001)資助
【分類號】：TN304.12

【參考文獻】

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本文編號：2169533