【摘要】：有機電致發(fā)光作為新型的發(fā)光技術(shù)越來越被人們認識和使用,在過去的幾十年內(nèi),通過發(fā)光材料和器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化以及制備工藝的改革,有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能得到了很大的提升,但是有機電致發(fā)光的發(fā)光機理至今也沒有一個統(tǒng)一的理論,因此有機電致發(fā)光器件內(nèi)部發(fā)光機理的研究也顯得越來越重要�；谝陨辖榻B,本文主要做了以下工作： 利用熱蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備,制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT:PSS/m-MTDATA (20nm)/m-MTDATA:3TPYMB(1:1,40nm)/3TPYMB(20nm)/LiF (0.8nm)/Al(80n m)的器件,并利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量系統(tǒng)對其電子發(fā)光進行了測量,測量脈沖為兩個周期性的驅(qū)動脈沖,兩個脈沖的時間間隔為100us、300us、500us。研究發(fā)現(xiàn)在第二個脈沖驅(qū)動下器件的EL強度穩(wěn)定值比第一驅(qū)動驅(qū)動下的EL強度穩(wěn)定值大,且第二脈沖的EL強度穩(wěn)定值與第一脈沖EL強度穩(wěn)定值的比值隨通過器件的電流增大而減小,實驗還發(fā)現(xiàn)第二脈沖撤銷時的延遲發(fā)光衰減速度要比第一脈沖撤銷時的快,這是由于第二脈沖撤銷時發(fā)光層內(nèi)極化子(電荷)對激子的猝滅(TPQ)比較嚴重。 制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/Alq3(70,80,90,100nm)/Al(80nm); ITO/Alq3(1Onm)/Bphe n(20,30,40nm)/Al(80nm); ITO/NPB(10,20,30,40nm)/Alq3(20nm)/LiF/Al(80nm)的三大組基礎(chǔ)器件。利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量系統(tǒng)進行測量,研究發(fā)現(xiàn)相同電流密度下,電子傳輸層厚度越大在,器件達到穩(wěn)定發(fā)光所需要的時間越短,這是因為要達到相同的電流密度,器件厚度越大,所需的電壓越高,較高的電壓提高了電子和空穴的注入能力,因此對器件發(fā)光達到穩(wěn)定發(fā)光的時間起到了縮減的作用。 制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT/TAZ:Ir0(10%wt)/LiF/Al的一組器件,其中發(fā)光層采用甩膜法制備,甩膜速度分別為1500r/min、2000r/min、2500r/min、300Or/min。實驗發(fā)現(xiàn),器件的穩(wěn)態(tài)發(fā)光光譜,隨著驅(qū)動電壓的上升,發(fā)光肩峰越來越高,這是由于發(fā)光層內(nèi)部的TPQ更加劇烈,因此低能級激子的衰減發(fā)光占據(jù)更多的發(fā)光成分,造成發(fā)光肩峰的變化。利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量系統(tǒng)進行測量,發(fā)現(xiàn)驅(qū)動撤銷時出現(xiàn)發(fā)光過沖現(xiàn)象,這是由于累積在發(fā)光層兩側(cè)的電子和空穴再復(fù)合發(fā)光造成的。
[Abstract]:Based on the above introduction, the main work of this paper is as follows: the device structure is ITO / PEDOT: PSS / m-MTDATA (20nm) / m-MTDATAW / 3TPYMB (1: 1: 40nm) / 3TPYMB (20nm) / lif (0.8nm) / Al (80n m), and its electron luminescence is measured by transient electroluminescence measurement system. The measured pulse is two periodic driving pulses, and the time interval between the two pulses is 100 usa 300 usa 500 us. It is found that the El strength stability of the device under the second pulse drive is higher than that of the first drive. Moreover, the ratio of El strength stability value of the second pulse to the El strength stability value of the first pulse decreases with the increase of the current passing through the device. It is also found that the delayed luminescence attenuation rate of the second pulse is faster than that of the first pulse cancellation. This is due to the serious quenching of excitons (TPQ) by polaron (charge) in the photoluminescence layer when the second pulse is withdrawn. The structure of the device is ITO / Alq3 (7080 / 90100nm) / Al (80nm); ITO / Alq3 (1Onm) / Bphen (200.30nm) / Al (80nm); ITO / NPB / 20nm / 20nm / LiF-rAl (80nm). A set of devices with the structure of ITO / PEDOT / TAZ: Ir0 (10%wt) / LiF / Al was fabricated, in which the luminous layer was prepared by the film casting method, and the film shedding velocity was 1500 r / min 2000 r / min ~ (2 500) r / min ~ (2 000) / min ~ (3) ~ (3) O _ (min), respectively. Causes luminous shoulder changes.
【學位授予單位】：北京交通大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN383.1

【參考文獻】

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本文編號：2126177