【摘要】：為了深入了解皮秒激光燒蝕對(duì)晶體硅所造成的影響,使用不同平均功率下的皮秒脈沖激光輻照晶體硅,然后使用X射線光電子能譜儀和透射電子顯微鏡,分別對(duì)被燒蝕晶體硅的化學(xué)成分與微觀組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察與分析。研究發(fā)現(xiàn):隨著激光脈沖平均功率的增加,燒蝕產(chǎn)物中晶體硅的相對(duì)含量不斷下降,而Si O2的相對(duì)含量則逐步上升;與此同時(shí),材料的無(wú)定形化程度也隨之加劇。最終認(rèn)為:因激光脈沖平均功率增加而逐漸升高的激光能量密度是誘導(dǎo)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果出現(xiàn)的主要原因,并最終不斷擴(kuò)大并加劇著材料所受到熱與機(jī)械損傷的范圍與程度。
[Abstract]:The chemical composition and microstructure of ablated silicon were observed and analyzed.
【作者單位】： 天津大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;機(jī)制設(shè)計(jì)理論與裝備設(shè)計(jì)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室天津大學(xué);西安交通大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51405333;51175372;51275337) 天津大學(xué)自主創(chuàng)新基金(1405) 天津市裝備設(shè)計(jì)與制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(天津大學(xué))開(kāi)放課題
【分類(lèi)號(hào)】：TN249;TN304.12

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本文編號(hào)：2126189