本文選題：絕緣柵雙極晶體管 + 預(yù)計(jì)模型�。� 參考：《電力電子技術(shù)》2017年05期

【摘要】：隨著電子元器件技術(shù)的不斷發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,但其預(yù)計(jì)模型的缺失或不完善使得用戶在可靠性分析過(guò)程中缺乏指導(dǎo),影響工作的完整性和準(zhǔn)確性。基于國(guó)內(nèi)IGBT芯片外購(gòu)、自主封裝的研制生產(chǎn)現(xiàn)狀及工程應(yīng)用主要的失效模式、機(jī)理,結(jié)合國(guó)內(nèi)外主流預(yù)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)及評(píng)估方法,建立國(guó)產(chǎn)IGBT可靠性預(yù)計(jì)模型架構(gòu)。選擇典型IGBT開(kāi)展溫度循環(huán)試驗(yàn),利用對(duì)數(shù)正態(tài)分布下的圖估計(jì)法、最優(yōu)線性無(wú)偏估計(jì)及最小二乘法對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理,確定封裝模型系數(shù)定量表征,應(yīng)用國(guó)外芯片失效數(shù)據(jù)確定芯片模型系數(shù)表征,從而完成國(guó)產(chǎn)IGBT可靠性預(yù)計(jì)模型建立,為國(guó)產(chǎn)元器件工程應(yīng)用過(guò)程中的可靠性定量分析提供技術(shù)參考。
[Abstract]:With the development of electronic component technology, insulated gate bipolar transistor (IGBT) has been more and more widely used, but the lack or imperfection of its prediction model makes the user lack of guidance in the process of reliability analysis. Affect completeness and accuracy of work. Based on the status quo of domestic IGBT chip manufacture and production and the main failure mode and mechanism of engineering application, the domestic IGBT reliability prediction model architecture is established based on the main prediction standards and evaluation methods at home and abroad. The typical IGBT is selected to carry out the temperature cycle test. The graph estimation method under the logarithmic normal distribution, the optimal linear unbiased estimation and the least square method are used to analyze and process the test data, and the quantitative characterization of the encapsulation model coefficient is determined. The chip model coefficient is determined by using chip failure data from abroad, and the reliability prediction model of domestic IGBT is established, which provides a technical reference for reliability quantitative analysis in the process of domestic components engineering application.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所;
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2107754