本文選題：絕緣柵雙極晶體管 + 預計模型��； 參考：《電力電子技術》2017年05期

【摘要】：隨著電子元器件技術的不斷發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已得到了越來越廣泛的應用,但其預計模型的缺失或不完善使得用戶在可靠性分析過程中缺乏指導,影響工作的完整性和準確性�；趪鴥菼GBT芯片外購、自主封裝的研制生產現狀及工程應用主要的失效模式、機理,結合國內外主流預計標準及評估方法,建立國產IGBT可靠性預計模型架構。選擇典型IGBT開展溫度循環(huán)試驗,利用對數正態(tài)分布下的圖估計法、最優(yōu)線性無偏估計及最小二乘法對試驗數據進行分析處理,確定封裝模型系數定量表征,應用國外芯片失效數據確定芯片模型系數表征,從而完成國產IGBT可靠性預計模型建立,為國產元器件工程應用過程中的可靠性定量分析提供技術參考。
[Abstract]:With the development of electronic component technology, insulated gate bipolar transistor (IGBT) has been more and more widely used, but the lack or imperfection of its prediction model makes the user lack of guidance in the process of reliability analysis. Affect completeness and accuracy of work. Based on the status quo of domestic IGBT chip manufacture and production and the main failure mode and mechanism of engineering application, the domestic IGBT reliability prediction model architecture is established based on the main prediction standards and evaluation methods at home and abroad. The typical IGBT is selected to carry out the temperature cycle test. The graph estimation method under the logarithmic normal distribution, the optimal linear unbiased estimation and the least square method are used to analyze and process the test data, and the quantitative characterization of the encapsulation model coefficient is determined. The chip model coefficient is determined by using chip failure data from abroad, and the reliability prediction model of domestic IGBT is established, which provides a technical reference for reliability quantitative analysis in the process of domestic components engineering application.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所;
【分類號】：TN322.8

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本文編號：2107754