發(fā)布時(shí)間：2018-07-05 10:28

  本文選題：壓接式IGBT + 可靠性　； 參考：《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年12期

【摘要】：壓接式絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì),受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場(chǎng)合的青睞,其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場(chǎng)合研究的重點(diǎn),而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性的重要因素�；趬航邮絀GBT模塊雙脈沖測(cè)試平臺(tái),介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法,分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系,并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大變化率的信息,以此來反推模塊結(jié)溫特性。最后通過壓接式IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)驗(yàn)證了通過模塊關(guān)斷電流最大變化率進(jìn)行壓接式IGBT結(jié)溫提取的可行性。
[Abstract]:Voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is favored in high power applications such as flexible direct current transmission due to its superior electrical performance and packaging design. The reliability of IGBT module has also become the focus of research in high-power applications. IGBT module junction temperature is an important factor affecting the device reliability. Based on the double pulse test platform of IGBT module, this paper introduces a method of extracting the junction temperature of IGBT module based on the maximum change rate of turn-off current, and analyzes the monotonic variation relationship between the maximum change rate of switch current of IGBT chip junction and module. The parasitic inductance inherent in the encapsulation structure of the IGBT module is used to obtain the information of the maximum change rate of the turn-off current effectively, so as to push back the junction temperature characteristics of the module. Finally, the feasibility of extracting IGBT junction temperature by using the maximum change rate of switch off current of the module is verified by using the IGBT double pulse test platform.
【作者單位】： 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51490682)
【分類號(hào)】：TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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2 常W，

本文編號(hào)：2099909