發(fā)布時(shí)間：2018-07-04 15:53

  本文選題：柔性 + 低溫多晶硅薄膜晶體管　； 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年09期

【摘要】：研究了以聚酰亞胺為基板的p型低溫多晶硅薄膜晶體管在不同彎曲半徑下的偏壓穩(wěn)定性。當(dāng)曲率半徑從15 mm變到3 mm時(shí),在拉伸彎曲狀態(tài)下,閾值電壓和平坦時(shí)保持一致(Vth=-1.34 V),遷移率μsat從45.65 cm~2/(V·s)降到45.17 cm~2/(V·s),開(kāi)關(guān)比增大;在壓縮彎曲狀態(tài)下,轉(zhuǎn)移特性曲線和平坦?fàn)顟B(tài)保持了非常好的一致性。在最小彎曲半徑為3 mm時(shí),進(jìn)行了正負(fù)偏壓穩(wěn)定性測(cè)試,結(jié)果表明,器件依然具有很好的穩(wěn)定性。
[Abstract]:The bias stability of p type low temperature polysilicon thin film transistors with polyimide as substrate was studied under different bending radii. When the radius of curvature changes from 15 mm to 3 mm, the threshold voltage is the same as that at flat state (Vth-1.34 V), and the mobility 渭 sat is decreased from 45.65 cm~2/ (V s) to 45.17 cm~2/ (V s), switching ratio) in the tensile bending state, while in the compression bending state, the mobility 渭 sat decreases from 45.65 cm~2/ (V s) to 45.17 cm~2/ (V s), switching ratio). The transition characteristic curve is very consistent with the flat state. When the minimum bending radius is 3 mm, the stability of positive and negative bias voltage is tested. The results show that the device still has good stability.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;上海大學(xué)新型顯示技術(shù)及應(yīng)用集成教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;上海天馬微電子有限公司;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863)(2015AA033406) 上海科學(xué)技術(shù)委員會(huì)項(xiàng)目(16JC1400602)資助~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：2096577