一種SiGe BiCMOS 3級級聯(lián)60GHz LNA
本文選題:低噪聲放大器 + 噪聲系數(shù); 參考:《微電子學》2017年02期
【摘要】:基于0.18μm SiGe BiCMOS工藝,設計了一種高增益單端3級級聯(lián)60GHz低噪聲放大器。級間匹配采用LC諧振,以減小傳輸損耗,引入的級間電感L與上級輸出寄生電容、下級輸入寄生電容諧振,以減小寄生效應的影響。在3.3V供電電壓下,60GHz頻率處的功率增益S_(21)達到21.8dB,噪聲系數(shù)NF為6.1dB;在58~65GHz頻段內,輸入和輸出反射系數(shù)S_(11)和S_(22)均小于-10dB。
[Abstract]:Based on 0.18 渭 m SiGe BiCMOS process, a high gain single-terminal 3-stage cascaded 60GHz low noise amplifier is designed. The LC resonance is used to reduce the transmission loss. The inductance L is introduced to the output parasitic capacitance of higher level and the parasitic capacitance of lower input is resonant to reduce the influence of parasitic effect. The power gain S21 is 21.8dBand the noise coefficient NF is 6.1dBat 60GHz frequency at 3.3V supply voltage, and the input and output reflection coefficients S11 and S22 are less than -10dB in the 585GHz frequency range.
【作者單位】: 重慶郵電大學光電工程學院/重慶國際半導體學院;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(61404019)
【分類號】:TN722.3
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,本文編號:2096715
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