本文選題：晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP) + 重分配布線層��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期

【摘要】：采用晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)工藝完成了一款小型化CMOS驅(qū)動器芯片的封裝。此WLCSP驅(qū)動器由兩層聚酰亞胺(PI)層、重分配布線層、下金屬層和金屬凸點等部分構(gòu)成。完成了WLCSP驅(qū)動器的設(shè)計,加工和電性能測試,并且對其進行了溫度沖擊、振動和剪切力測試等可靠性試驗。結(jié)果表明,經(jīng)過晶圓級封裝的CMOS驅(qū)動器體積為1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脈沖上升沿為2.3 ns,下降沿為2.5 ns,開關(guān)時間為10.6 ns。將WLCSP的驅(qū)動器安裝至厚度為1 mm的FR4基板上,對其進行溫度沖擊試驗及振動試驗后,凸點正常無裂痕。無下填充膠時剪切力為20 N,存在下填充膠時,剪切力為200 N。
[Abstract]:A miniaturized CMOS driver chip was encapsulated by WLCSP process. The WLCSP driver consists of two layers of polyimide (Pi) layer, rerouting layer, lower metal layer and metal bump. The WLCSP driver was designed, machined and tested, and the reliability tests of temperature shock, vibration and shear force were carried out. The results show that the volume of CMOS driver is 1.8 mm 脳 1.2 mm 脳 0.35 mm, pulse rise edge is 2.3 ns, descent edge is 2.5 NS, switching time is 10.6 ns. The WLCSP driver was installed on the FR4 substrate with a thickness of 1 mm. After the temperature shock test and vibration test, the convex spots were normal without cracks. The shear force is 20 Nwhen no underfill glue, and 200 Nwhen there is underfilling glue.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】：TN405

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本文編號：2094429