本文選題：平面摻雜勢壘(PDB)二極管 + 金屬有機(jī)化合物氣相淀積(MOCVD)��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年01期

【摘要】：二極管是定向檢波器的重要組件,提高定向檢波器的檢波靈敏度,需要降低二極管的開啟電壓。而平面摻雜勢壘(PDB)二極管具有極低的勢壘高度,適合制作定向檢波器。設(shè)計(jì)了GaAs平面摻雜勢壘二極管的材料結(jié)構(gòu),并采用金屬有機(jī)化合物氣相淀積(MOCVD)方法對其進(jìn)行外延生長。對PDB二極管的物理模型進(jìn)行了理論分析。通過模擬計(jì)算和實(shí)驗(yàn)分析了本征層厚度和p層的面電荷密度對PDB二極管I-V特性的影響。通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)優(yōu)化了材料結(jié)構(gòu)參數(shù),測試了其I-V特性,使PDB二極管的開啟電壓降低到了0.06 V,將此樣品應(yīng)用到定向檢波器中測得檢波靈敏度為20~25 mV/mW。
[Abstract]:Diode is an important component of directional geophone. To improve the detection sensitivity of directional detector, it is necessary to reduce the starting voltage of diode. The planar doped barrier (PDB) diode has a very low barrier height and is suitable for making directional geophone. The structure of GaAs planar doped barrier diodes was designed and epitaxial growth was carried out by metal-organic compound vapor deposition (MOCVD) method. The physical model of PDB diode is analyzed theoretically. The effects of the thickness of the intrinsic layer and the surface charge density of the p-layer on the I-V characteristics of PDB diodes are analyzed by simulation and experiments. The material structure parameters were optimized by experimental design and its I-V characteristics were tested. The threshold voltage of PDB diode was reduced to 0.06 V, and the detection sensitivity was 20 ~ 25 MV / mW when the sample was applied to a directional detector.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號】：TN31

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