本文選題：高壓脈沖發(fā)生器 + 均壓電路　； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年02期

【摘要】：傳統(tǒng)RCD動(dòng)態(tài)均壓電路是以犧牲MOSFET快速性為代價(jià)來(lái)?yè)Q取動(dòng)態(tài)電壓均衡,無(wú)法滿足某些快速性響應(yīng)要求較高的場(chǎng)合。鑒于此,在傳統(tǒng)RCD電路基礎(chǔ)上,采用一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC MOSFET,提出一種改進(jìn)的新型動(dòng)態(tài)均壓電路。創(chuàng)造性地提出雙重均壓反饋機(jī)制,一方面利用瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)箝位電路代替大電容恒壓源,有效提高開(kāi)關(guān)速度,抑制動(dòng)態(tài)不均壓;另一方面通過(guò)米勒效應(yīng)抑制漏源極電壓斜率的變化率,不僅能進(jìn)一步改善均壓效果,還可降低開(kāi)關(guān)損耗,獲得較為理想的高壓脈沖。最后通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該電路不僅動(dòng)態(tài)均壓效果好,且開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納秒級(jí),在實(shí)際應(yīng)用中具有相當(dāng)可觀的實(shí)用價(jià)值。
[Abstract]:The traditional RCD dynamic voltage equalization circuit can not meet the high requirement of fast response at the expense of MOSFET's speed in exchange for dynamic voltage equalization. In view of this, based on the traditional RCD circuit, a new type of wide band gap semiconductor device sic MOSFETs is adopted, and an improved dynamic voltage sharing circuit is proposed. On the one hand, the transient voltage suppression diode (TVs) clamping circuit is used to replace the large capacitance constant voltage source, which can effectively improve the switching speed and restrain the dynamic uneven voltage. On the other hand, the change rate of leakage source voltage slope can be suppressed by Hans Muller effect, which can not only improve the voltage sharing effect, but also reduce the switching loss and obtain the ideal high voltage pulse. Finally, through simulation and experiment, it is proved that the circuit not only has a good dynamic voltage sharing effect, but also has a switching speed of nanosecond, which has considerable practical value in practical application.
【作者單位】： 吉林大學(xué)儀器科學(xué)與電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目(2011YQ050069)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN386

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4 羅R，

本文編號(hào)：2081439