本文選題：紅外探測器 + 碲鎘汞��； 參考：《紅外技術(shù)》2017年08期

【摘要】：利用碲鎘汞(HgCdTe)體晶材料,采用HgCdTe材料拼接技術(shù)、磨拋技術(shù)等成熟的探測器芯片制備工藝以及三級熱電制冷技術(shù),設(shè)計并研制出了熱電制冷型13元HgCdTe中波紅外光導(dǎo)探測器。在-50℃時,峰值電壓響應(yīng)率可達2.7×104 V/W,峰值探測率達到2.3×1010 cm·Hz1/2·W-1,響應(yīng)波段在3.0~4.6mm之間,峰值響應(yīng)波長為4.2mm。
[Abstract]:Using HgCdTe bulk crystal material, HgCdTe material splicing technology, grinding technology and other mature technology, as well as three-stage thermoelectric refrigeration technology, a 13 element HgCdTe medium-wave infrared photoconductive detector was designed and developed. At -50 鈩，

本文編號：2044892