本文選題：IGBT串聯(lián) + 門極阻容網(wǎng)絡(luò)�。� 參考：《電工技術(shù)學(xué)報》2017年04期

【摘要】：針對IGBT串聯(lián)應(yīng)用中關(guān)斷過程均壓問題,對IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行了詳細(xì)分析,總結(jié)出影響IGBT關(guān)斷過程的核心等效電路和計算公式。在此基礎(chǔ)上提出一種基于門極補(bǔ)償阻容網(wǎng)絡(luò)的IGBT串聯(lián)均壓方法,推導(dǎo)出增加門極阻容補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)后串聯(lián)IGBT動態(tài)電壓不均衡度和關(guān)斷時間影響的計算公式,并提出門極阻容網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的選取原則。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理數(shù)值模型,對IGBT門極阻容補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行仿真驗(yàn)證。給出了實(shí)際測試工況下的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù),建立IGBT串聯(lián)均壓實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),進(jìn)行多種電壓、電流工況下的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。仿真和實(shí)驗(yàn)表明:該方法可以有效控制串聯(lián)IGBT的延遲時間和動態(tài)電壓上升速率的差異,在母線電壓為2 000V和關(guān)斷峰值電流為1 500A時,采用該控制方法可將串聯(lián)IGBT的動態(tài)尖峰電壓不均衡度由14.4%降至6.3%。
[Abstract]:Aiming at the problem of voltage equalization in IGBT series application, the turn-off process of IGBT is analyzed in detail, and the core equivalent circuit and calculation formula that affect the turn-off process of IGBT are summarized. On this basis, an IGBT series voltage equalization method based on gate compensated resistive and capacitive network is proposed, and the calculation formula of dynamic voltage imbalance and turn-off time of series IGBT after increasing gate resistive and capacitive compensation network is derived. The selection principle of gate pole resistive network parameters is also proposed. The half-physical numerical model of IGBT based on Lumped charge method is established, and the simulation of IGBT gate pole resistive compensation network is carried out. The compensation network parameters under the actual test conditions are given, and the IGBT series voltage sharing experimental system is established, which is verified by experiments under various voltage and current conditions. Simulation and experiments show that this method can effectively control the difference of delay time and dynamic voltage rise rate of series IGBT, when the bus voltage is 2 000 V and the off peak current is 1 500 A. Using this control method, the dynamic peak voltage imbalance of series IGBT can be reduced from 14.4% to 6.3%.
【作者單位】： 西安許繼電力電子技術(shù)有限公司;許繼集團(tuán)有限公司;
【分類號】：TN322.8

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9 ;2014年中國IGBT銷售額將近10億美元[J];電源世界;2011年05期

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5 寧大龍;同向前;;IGBT串聯(lián)中RCD門極有源均壓參數(shù)選擇[A];第二屆全國電能質(zhì)量學(xué)術(shù)會議暨電能質(zhì)量行業(yè)發(fā)展論壇論文集[C];2011年

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9 梅軍;鄭建勇;顧東亮;饒瑩;;基于IGBT的混合式轉(zhuǎn)換開關(guān)換流電路設(shè)計與性能研究[A];2006中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會第十屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2006年

10 方玉甫;王曉寶;;高頻IGBT模塊共性技術(shù)研究[A];2008中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會第十一屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2008年

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6 成都佳靈電氣制造有限公司 吳加林;IGBT直接串聯(lián)高壓變頻器問世[N];中國電子報;2003年

7 記者 矯陽;首件國產(chǎn)高壓IGBT芯片通過鑒定[N];科技日報;2013年

8 湖南 蘭濤;IGBT組件檢查方法[N];電子報;2004年

9 山西 楊德印;變頻器中使用的電力電子器件IGBT與功能模塊[N];電子報;2012年

10 記者 李偉鋒 通訊員 劉亞鵬 曹婷;國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功[N];湖南日報;2013年

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4 鄒格;壓接型IGBT串聯(lián)有源電壓控制優(yōu)化研究[D];華北電力大學(xué)(北京);2016年

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6 張晏銘;基于廣義端口特性的IGBT功率模塊可靠性綜合測試方法研究[D];重慶大學(xué);2016年

7 王輝;新型SiC溝槽IGBT的模擬研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

8 張玉林;絕緣柵雙極晶體管（IGBT）低溫特性研究[D];中國科學(xué)院研究生院（電工研究所）;2005年

9 陳宏;高壓絕緣柵雙極晶體管（IGBT）設(shè)計及可靠性研究[D];山東大學(xué);2012年

10 仝蒙;鋁基金剛石IGBT散熱基板的制備和性能測試[D];江南大學(xué);2014年

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本文編號：1984563