金屬微納結(jié)構(gòu)在微納電子器件、metamaterials、MEMS、SERS重要等方面具有重要應(yīng)用,因此,金屬微納結(jié)構(gòu)的加工制造技術(shù)是目前研究的熱點(diǎn)。激光光鑷微納直寫技術(shù)在高分辨金屬微納結(jié)構(gòu),特別是復(fù)雜三維金屬直寫方面具有應(yīng)用潛力。為了進(jìn)一步提高目前激光光鑷微納直寫技術(shù)的加工分辨率,實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的激光光鑷直寫,我們?cè)诤铣摄y納米顆粒的基礎(chǔ)上,以飛秒激光作為光源對(duì)激光光鑷直寫銀微納結(jié)構(gòu)的影響因素及控制機(jī)制進(jìn)行了研究,并對(duì)三維結(jié)構(gòu)的直寫進(jìn)行了初步探索。首先,在銀納米顆粒合成及表征測試的基礎(chǔ)上,利用800 nm飛秒激光光鑷捕獲水中分散的銀納米顆粒,對(duì)激光焦點(diǎn)高度、激光功率、掃描速度等對(duì)銀微納結(jié)構(gòu)直寫的影響進(jìn)行研究;通過合理選擇和調(diào)控激光參數(shù)實(shí)現(xiàn)了最小線寬為305 nm的銀線的直寫;并對(duì)銀線的導(dǎo)電性能進(jìn)行測試,所直寫的銀線電阻率為塊體銀的25倍左右,具備良好的導(dǎo)電性能。其次,通過改進(jìn)實(shí)驗(yàn)平臺(tái),采用不同波長激光光鑷直寫銀線,并結(jié)合理論計(jì)算對(duì)激光波長對(duì)銀線直寫影響進(jìn)行系統(tǒng)的研究。在激光波長為700 nm時(shí),利用激光光鑷直寫獲得了最小線寬為286 nm的銀線。最后,利用飛秒激光光鑷直寫加工了方形網(wǎng)格、菱...

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.4a)微溝道電極內(nèi)制備微納銀線掃描電鏡（SEM）圖片b)微納銀線的電流電壓線性關(guān)系圖c)微納銀線的原子力（AFM）圖d)微納銀線的剖面圖

高分辨率有幫助。正如之前提到的Duan等人通過引入生長還原阻滯劑來提辨率，為了避免對(duì)導(dǎo)電性的影響，如果能找到具有導(dǎo)電特性的有機(jī)包覆劑是一個(gè)好的選擇。2.3.2導(dǎo)電性問題為了解決以往研究中激光直寫制備金屬微納結(jié)構(gòu)導(dǎo)電性和形貌可控的，我們采用基于銀氨絡(luò)合離子和檸檬酸鈉溶液的前驅(qū)....

圖1.1(a)H.Sun等制備T型柵[8]；(b)Y.Son制備OFET電極的SEM圖[9]

加工技術(shù)的發(fā)展，構(gòu)成微納電子器件的主要特征尺寸已經(jīng)達(dá)到納米量級(jí)，并不斷向前推進(jìn)。高電子遷移率晶體管(HEMT)在星際通信以及軍事方面有著重要應(yīng)用。對(duì)其而言，T型柵是決定性能的關(guān)鍵部件，圖1.1(a)為2010年H.Sun等報(bào)道的通過電子束曝光技術(shù)在AlInGa/GaN上制....

圖1.2在三維的蛋白質(zhì)腔室中直寫鉑的微納結(jié)構(gòu)，催化產(chǎn)生的氣體實(shí)現(xiàn)小球輸運(yùn)過程[10]

1.2.2MEMSMEMS是Micro-Electro-MechanicalSystems的首字母縮寫，是隨著微細(xì)加工技術(shù)和超精密機(jī)械加工技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展起來的。目前MEMS結(jié)構(gòu)與器件已經(jīng)被應(yīng)用到汽車、電子、通信、醫(yī)療等方面。2012年，美國哈佛大學(xué)的L.D.....

圖1.3H.Kim等制備的開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的：(a)-(c)SEM圖；(d)-(e)透射光譜[19]

.Kim等制備的開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的：(a)-(c)SEM圖；(d)-(e)透射等微納結(jié)構(gòu)具有很好的拉曼信號(hào)增強(qiáng)能力，所以它們?cè)赗S）方面具有重要的應(yīng)用。吉林大學(xué)的B.B.Xu等人[8]還原直寫集成了銀的納米結(jié)構(gòu)襯底[如圖1.4(a)和(b)左.4(a)為在銀襯底的....

本文編號(hào)：4000682