本文選題：寬頻帶 + 射頻功率放大器�。� 參考：《南京郵電大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：無論是在現(xiàn)在還是在未來的無線通信系統(tǒng)中,頻段數(shù)目的增加要求通信系統(tǒng)的發(fā)展必須具備寬頻帶能力。從發(fā)射機(jī)的角度來看,功率放大器作為至關(guān)重要的組件,直接影響整個(gè)系統(tǒng)的帶寬、效率、輸出功率、工作溫度等性能。這使得能夠覆蓋多個(gè)頻段,同時(shí)具備高效率、高功率的寬帶射頻功率放大器正成為重要的研究重要課題。本文遵循功放設(shè)計(jì)步驟,利用輔助設(shè)計(jì)軟件ADS,依據(jù)設(shè)計(jì)方案設(shè)計(jì)仿真并且實(shí)現(xiàn)了一款具有兩級放大的寬帶GaN HEMT射頻功率放大器,并進(jìn)行了實(shí)物加工測試。本文基于EDA軟件成功設(shè)計(jì)了具有兩級放大電路的寬帶射頻功率放大器,驅(qū)動級和末級功率放大器均選用科銳生產(chǎn)的系列GaN高電子遷移率晶體管CGH40010F,兩級射頻放大器工作方式為AB類,頻段為2-3GHz。最終測試得到,驅(qū)動級功率放大器當(dāng)輸出功率達(dá)到30dBm,增益為14dB,末級功率放大器當(dāng)輸出功率達(dá)到39dBm,增益為13dB。本文主要內(nèi)容如下:首先,論述了射頻功率放大器的性能指標(biāo)等理論基礎(chǔ),對關(guān)鍵的設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行分析總結(jié);其次,利用源牽引和負(fù)載牽引結(jié)合的方法設(shè)計(jì)了功率放大器的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò),并結(jié)合基礎(chǔ)設(shè)計(jì)理論和實(shí)際設(shè)計(jì)要求完成了寬帶射頻功率放大器的仿真設(shè)計(jì)步驟;最后,對驅(qū)動級和末級兩級功率放大器進(jìn)行了加工實(shí)測,實(shí)測結(jié)果與仿真結(jié)果匹配良好。
[Abstract]:In both the present and the future wireless communication systems, the increase of the number of frequency bands requires that the development of communication systems must have broadband capability. From the point of view of transmitter, power amplifier, as a crucial component, directly affects the bandwidth, efficiency, output power, operating temperature and other performance of the whole system. This makes the broadband RF power amplifier with high efficiency and high power which can cover multiple frequency bands become an important research topic. This paper follows the design steps of power amplifier, designs and implements a wideband GaN HEMT RF power amplifier with two-stage amplification by using the auxiliary design software ADS, and carries out a physical processing test. In this paper, a broadband RF power amplifier with two-stage amplifier is successfully designed based on EDA software. A series of GaN high electron mobility transistors, CGH40010F, are used in both driving and final stage power amplifiers. The two-stage RF amplifiers operate in AB type, with a frequency band of 2-3 GHz. The final test results show that when the output power of the driving stage power amplifier is 30 dBm, the gain is 14 dB, and the final stage power amplifier output power reaches 39 dBm and the gain is 13 dB. The main contents of this paper are as follows: firstly, the theoretical basis of RF power amplifier is discussed, and the key design techniques are analyzed and summarized. The input and output matching network of the power amplifier is designed by combining the source traction and load traction, and the simulation design steps of the wideband RF power amplifier are completed in combination with the basic design theory and practical design requirements. The machining experiments of the driving stage and the final stage power amplifier are carried out, and the measured results match well with the simulation results.
【學(xué)位授予單位】：南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TN722.75

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1981404