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基于鍺硅BiCMOS工藝的低噪聲差分放大器設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2018-06-05 08:12

  本文選題:無線局域網(wǎng) + 鍺硅; 參考:《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年05期


【摘要】:針對無線局域網(wǎng)前端接收機(jī)2.5GHz的應(yīng)用,提出了一種硅鍺工藝低噪聲差分放大器.采用差分級聯(lián)放大器結(jié)構(gòu)既能抑制輸入端的共模噪聲信號,又能因級聯(lián)結(jié)構(gòu)的高增益而抑制電路的噪聲,確保電路的高性能;同時(shí)選用JAZZ 0.35μm 1P4M鍺硅BiCMOS工藝來制作.該放大器能有效地提供了50Ω輸入阻抗匹配且具備良好的溫度特性.在頻點(diǎn)2.5GHz時(shí),放大器的最大小信號電壓增益為29.1dB,噪聲系數(shù)1.3dB,輸入/輸出回波損耗都優(yōu)于-11dB,輸入3階交調(diào)點(diǎn)為-0.24dBm.在直流電源電壓3V供應(yīng)下,低噪聲放大器消耗電流為3.7mA.仿真結(jié)果表明,與其他文獻(xiàn)相比,該放大器有更高的電壓增益和更低的噪聲,可以更加有效地應(yīng)用于無線局域網(wǎng)及相關(guān)頻點(diǎn)領(lǐng)域.
[Abstract]:A silicon germanium process low noise differential amplifier (LNA) is proposed for the application of WLAN front-end receiver 2.5GHz. The differential cascade amplifier structure can not only suppress the common-mode noise signal at the input end, but also suppress the noise of the circuit because of the high gain of the cascade structure, and ensure the high performance of the circuit. At the same time, the JAZZ 0.35 渭 m 1P4M germanium silicon BiCMOS process is used to fabricate the circuit. The amplifier can effectively provide 50 惟 input impedance matching and has good temperature characteristics. At the frequency point 2.5GHz, the maximum small signal voltage gain of the amplifier is 29.1dB, the noise coefficient is 1.3 dB, the input / output echo loss is better than -11dB, and the input third-order crossover point is -0.24dBm. Under the supply of 3 V DC power supply, the current consumption of LNA is 3.7 Ma. The simulation results show that the amplifier has higher voltage gain and lower noise than other literatures, and it can be applied to WLAN and related frequency area more effectively.
【作者單位】: 電子科技大學(xué)中山學(xué)院;電子科技大學(xué)物理電子學(xué)院;電子科技大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程學(xué)院;陜西理工大學(xué)物理與電信工程學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(11305031) 廣東省自然科學(xué)基金(S2013010011546) 中山市科學(xué)事業(yè)費(fèi)項(xiàng)目(2014A2FC379)
【分類號】:TN722.3

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本文編號:1981293

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