本文選題：ZnO + p型摻雜　； 參考：《西華師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2016年01期

【摘要】：氧化鋅(ZnO)是II-VI族直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.37 e V,激子束縛能高達(dá)60me V,是制造藍(lán)紫外發(fā)光、探測以及激光器件的理想材料。高質(zhì)量n型和p型ZnO以及同質(zhì)p-n結(jié)的制備是實(shí)現(xiàn)器件化的關(guān)鍵。目前,n型ZnO的制備技術(shù)已趨于成熟,但高質(zhì)量穩(wěn)定的p型ZnO的缺乏已成為制約其器件化的瓶頸。在過去的十余年里,通過國內(nèi)外科研工作者的不懈努力,在理論和實(shí)驗(yàn)上都取得了顯著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型摻雜、p型導(dǎo)電機(jī)制以及p-ZnO基光電器件的研究進(jìn)展,同時(shí)初步探索了ZnO材料p型導(dǎo)電穩(wěn)定性問題。
[Abstract]:Zinc oxide (ZnO) is a direct band gap compound semiconductor material of II-VI group. The band gap width is 3.37e V at room temperature and the exciton binding energy is up to 60me V. it is an ideal material for making blue ultraviolet luminescence, detection and laser devices. The preparation of high quality n-type and p-type ZnO and homogenous p-n junction is the key to the realization of the device. At present, the preparation technology of n-type ZnO has become mature, but the lack of high quality and stable p-type ZnO has become the bottleneck of its devication. In the past ten years, through the unremitting efforts of researchers at home and abroad, remarkable achievements have been made in theory and experiment. In this paper, the p-doped p-type conductive mechanism of ZnO materials and the research progress of p-ZnO based optoelectronic devices are summarized. At the same time, the problem of p-type conductive stability of ZnO materials is preliminarily explored.
【作者單位】： 重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院;重慶市光電功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;重慶文理學(xué)院新材料技術(shù)研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51472038,51502030)
【分類號】：TN304.2

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本文編號：1968395