本文選題：晶種誘導(dǎo) + 電沉積�。� 參考：《大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年02期

【摘要】：通過晶種誘導(dǎo)輔助電化學(xué)沉積法制備Al摻雜ZnO薄膜(AZO),利用XRD和SEM對(duì)薄膜的物相和形貌進(jìn)行了表征,紫外-可見分光光度計(jì)和四探針式方阻儀分析了薄膜的光電性能,研究了不同Al摻雜濃度下AZO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。研究表明,一定含量的Al元素?fù)诫s并不影響晶體的結(jié)構(gòu)類型;制備的AZO薄膜均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且摻雜后薄膜的電阻呈數(shù)量級(jí)下降;當(dāng)Al ~(3+)摻雜濃度為0.005mol/L時(shí),AZO薄膜的結(jié)晶性最好,薄膜均勻致密,方塊電阻為0.85kΩ,光透過率達(dá)85%,禁帶寬度為3.37eV。
[Abstract]:Al-doped ZnO thin films were prepared by seed induced-assisted electrochemical deposition. The phase and morphology of the films were characterized by XRD and SEM. The photoelectric properties of the films were analyzed by UV-Vis spectrophotometer and four-probe square resistance instrument. The crystal structure and optoelectronic properties of AZO films with different Al doping concentrations were investigated. The results show that Al doping does not affect the crystal structure, and the AZO films are hexagonal wurtzite structure, and the resistance of the films decreases by an order of magnitude after doping. When the doping concentration of Al ~ (3) is 0.005mol/L, the crystalline property of the thin film is the best, the film is uniform and compact, the square resistance is 0.85 k 惟, the optical transmittance is 85 and the band gap is 3.37 EV.
【作者單位】： 大連工業(yè)大學(xué)新材料與材料改性省高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：大連市建委資助項(xiàng)目(2012-456)
【分類號(hào)】：TN304.055

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1961042