本文選題：激光技術(shù) + 硅漿料��； 參考：《中國(guó)激光》2016年09期

【摘要】：采用硼摻雜的硅納米顆粒和有機(jī)載體混合配制的硅漿料作為原料,以標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池工藝中的預(yù)處理硅片作為基片,在硅片背面絲網(wǎng)印刷硅漿料,烘干后形成硅納米薄膜,經(jīng)皮秒激光熔覆形成摻雜的硅熔覆層,同時(shí)硼元素?cái)U(kuò)散進(jìn)入硅基片。采用激光形貌儀、掃描電子顯微鏡、二次離子質(zhì)譜等手段分析了熔覆層的組織結(jié)構(gòu)和硼元素的摻雜情況。結(jié)果表明,皮秒激光形成的硅熔覆層組織均勻致密,與基體之間結(jié)合緊密,無(wú)裂紋、孔洞等缺陷。硅熔覆層中的硼摻雜濃度最高達(dá)到3×1019 atom/cm3,在硅基體內(nèi)擴(kuò)散深度為0.5~1μm。在中電電氣(南京)光伏有限公司太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線上進(jìn)行了電池制備實(shí)驗(yàn),平均光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20.3%。
[Abstract]:Using boron doped silicon nanoparticles mixed with organic carrier as raw material, using pre-treated silicon wafer in standard solar cell process as substrate, silicon paste was printed on the back of silicon wafer, and then dried to form silicon nano-film. Doping silicon cladding is formed by laser cladding through picosecond, and boron diffuses into silicon substrate. The microstructure of the cladding layer and the doping of boron elements were analyzed by means of laser topography scanning electron microscope and secondary ion mass spectrometry. The results show that the structure of the cladding layer formed by picosecond laser is uniform and compact, and the bonding between the cladding layer and the substrate is close, without cracks, holes and other defects. The highest boron doping concentration in silicon cladding is 3 脳 atom / cm ~ (-3), and the diffusion depth in silicon substrate is 0.5 渭 m ~ (-1) 渭 m. In the solar cell production line of China Electric (Nanjing) Photovoltaic Co., Ltd., the average photovoltaic conversion efficiency is 20.3.
【作者單位】： 南京航空航天大學(xué)機(jī)電學(xué)院;鹽城工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院;中電電氣(南京)光伏有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51475236)
【分類號(hào)】：TN249;TM914.4

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 劉天夫;皮秒光譜技術(shù)[J];物理;1990年06期

2 季凌飛;凌晨;李秋瑞;吳燕;閆胤洲;鮑勇;蔣毅堅(jiān);;皮秒激光工程應(yīng)用研究現(xiàn)狀與發(fā)展分析[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2014年05期

3 張?bào)K;李業(yè)軍;湯秀章;龔X;;皮秒超強(qiáng)激光的并束技術(shù)及其與物質(zhì)相互作用的研究[J];中國(guó)原子能科學(xué)研究院年報(bào);2005年00期

4 牛憨笨,王水才,趙積來(lái),張煥文,石忠東,楊勤勞,程昭,錢建生;皮秒同步掃描相機(jī)系統(tǒng)的研究[J];高速攝影與光子學(xué);1987年03期

5 李港;皮秒激光脈寬的寬帶測(cè)量[J];北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);1990年01期

6 沙偉麗;陳鉅濤;余振新;劉頌豪;;一種可同時(shí)測(cè)量皮秒和納秒量級(jí)快弛豫過(guò)程的方法[J];應(yīng)用激光;1991年02期

7 晴天;;快速流逝過(guò)程光譜研究用的皮秒激光測(cè)量綜合體[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1989年06期

8 ;皮秒孤子接近實(shí)用[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1995年09期

9 G.Gr銉nninger;孔祥貴;;利用染料漂白測(cè)量皮秒脈沖寬度和能量[J];激光與紅外;1986年10期

10 劉洋;余錦;張雪;貊澤強(qiáng);聶樹(shù)真;黃玉濤;樊仲維;陳波;;三波長(zhǎng)同軸輸出皮秒激光精細(xì)加工系統(tǒng)的研制及其應(yīng)用[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2013年05期

相關(guān)會(huì)議論文 前1條

1 王琛;方智恒;王偉;熊俊;孫今人;張國(guó)平;鄭無(wú)敵;傅思祖;顧援;王世績(jī);;利用皮秒激光驅(qū)動(dòng)瞬態(tài)X射線激光實(shí)驗(yàn)[A];中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào)（2005）[C];2005年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 姜靖;皮秒激光對(duì)金屬材料微孔加工技術(shù)研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2014年

2 段金鵬;皮秒激光加工系統(tǒng)與精細(xì)鉆孔工藝的研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2012年

3 黃強(qiáng);皮秒激光傳輸特性及檢測(cè)方案[D];四川大學(xué);2005年

4 庚同雷;皮秒激光切割與打標(biāo)仿真中固體材料溫度場(chǎng)分布的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2012年

，

本文編號(hào)：1936989