本文選題：磁控濺射 + 鋁誘導(dǎo)��； 參考：《人工晶體學(xué)報》2017年09期

【摘要】：利用磁控濺射技術(shù)在石墨襯底上制備了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si疊層結(jié)構(gòu),采用常規(guī)退火(CTA)和快速熱退火(RTA)對樣品進行退火,系統(tǒng)研究了不同退火條件對多晶硅薄膜制備的影響。利用X射線衍射(XRD),拉曼光譜(Raman)對制備的多晶硅薄膜進行表征,并利用謝樂公式計算了晶粒尺寸,結(jié)果表明制備的多晶硅薄膜具有高度(111)擇優(yōu)取向,結(jié)晶質(zhì)量良好,利于后續(xù)外延制作多晶硅厚膜電池。基于實驗結(jié)果,建立了鋁誘導(dǎo)晶化模型,很好的解釋了實驗現(xiàn)象。
[Abstract]:Graphite /a-Si/Al and graphite /Al/a-Si laminated structures were prepared by magnetron sputtering on graphite substrate. The samples were annealed by conventional annealing (CTA) and rapid thermal annealing (RTA). The effects of different annealing conditions on the preparation of polysilicon thin films were systematically studied. X ray diffraction (XRD), and Raman spectroscopy (Raman) were used to prepare polycrystalline silicon thin films. The film was characterized and the grain size was calculated by the Xie Le formula. The results showed that the prepared polysilicon film had a high (111) preferred orientation and good crystallization quality, which was beneficial to the subsequent epitaxy of polysilicon thick film batteries. Based on the experimental results, the aluminum induced crystallization model was established, which explained the experimental phenomenon well.
【作者單位】： 華北電力大學(xué)可再生能源學(xué)院;北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：北京市自然科學(xué)基金(2151004) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金(2016MS50)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：1932932