本文選題：氮化鎵 + 美國(guó)國(guó)防部��； 參考：《半導(dǎo)體信息》2016年06期

【摘要】：正十年來(lái),電子戰(zhàn)和雷達(dá)最大的發(fā)展變化之一是其材料向氮化鎵(GaN)過(guò)渡,并由此帶來(lái)功率、可靠性和經(jīng)濟(jì)上的改善。十年前,美國(guó)國(guó)防部開(kāi)始將GaN視為砷化鎵(GaAs)的未來(lái)替代品,從而開(kāi)始致力于其發(fā)展。GaN已證實(shí)可靠性和熱導(dǎo)率均超過(guò)GaAs。
[Abstract]:One of the biggest developments in electronic warfare and radar over the past decade has been the transition of materials to gallium nitride (gan), which has led to improvements in power, reliability and economy. Ten years ago, the Department of Defense began to consider GaN as a future substitute for GaAs (GaAs), and thus began to work on its development. Gan has proven to be more reliable and thermal conductivity than GaAs.
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.23

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本文編號(hào)：1931008