發(fā)布時間：2018-05-13 03:38

  本文選題：有機電致發(fā)光器件 + 銥化合物�。� 參考：《電子科技大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：有機電致發(fā)光器件(OLED)以其優(yōu)越的性能,在下一代照明及顯示技術(shù)中占有重要地位。高性能磷光材料的發(fā)展是提高OLED性能的重要途徑。本論文設(shè)計、合成了兩種基于金屬銥化合物的高效磷光發(fā)光材料,研究了其光物理、光化學(xué)性能,制備了基于真空蒸鍍法和溶液旋涂法的高性能單色光、白光OLED器件。1.設(shè)計合成新型黃綠光磷光發(fā)光材料,Ir(ppy)2bop,對其光物理、電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究,并研究了基于該材料的黃綠光OLED器件。Ir(ppy)2bop在溶液中的發(fā)光量子產(chǎn)率為0.3,PL光譜發(fā)光峰位于526 nm。使用真空蒸鍍法制備了基于該材料的黃綠光磷光OLED器件,器件最大發(fā)光效率為43.3 cd/A(外量子效率18.1%),發(fā)光峰位于538 nm,器件性能居于目前文獻(xiàn)報道的同類器件最佳水平。選用溶液旋涂法制備的黃綠光磷光器件的最大發(fā)光效率為17.8 cd/A(9.1%)。2.設(shè)計合成新型紅光磷光發(fā)光材料,Ir(piq)2bop,對其光物理、光化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究,并研究了基于該材料的紅光OLED器件。Ir(piq)2bop在溶液中的發(fā)光峰為614 nm,半峰寬度為55 nm�；谡婵照翦兎ㄖ苽涞募t光磷光OLED器件的發(fā)射峰為623 nm,在1000 cd/m2亮度下的CIE坐標(biāo)為(0.67,0.33),器件所獲得的最大效率為7.2 cd/A(8.5%)�；谌芤盒糠ㄖ苽涞幕谠摬牧系募t色磷光器件也取得了較好結(jié)果。3.制備了一系列高性能的基于上述銥化合物的熒光/磷光混合白光OLED器件。選用藍(lán)色熒光材料DPF、黃綠色磷光材料Ir(ppy)2bop和紅色磷光材料Ir(piq)3構(gòu)建的白光器件表現(xiàn)出非常優(yōu)秀的性能。器件獲得的最大發(fā)光效率為55.2 cd/A,(49.6 lm/W,20%),最大CRI達(dá)到了89,在1000 cd/m2亮度下的CIE坐標(biāo)為(0.38,0.46)。該器件綜合性能是目前文獻(xiàn)報道的性能最好的熒光/磷光混合白光OLED器件之一。選用DPF、Ir(ppy)2bop及深紅色磷光材料Ir(piq)2bop構(gòu)建的白光器件也表現(xiàn)出較好的性能。該器件獲得的最大發(fā)光效率為44.2 cd/A,39.6 lm/W和16.1%,該器件的最大CRI為81,CIE色坐標(biāo)為(041,0.49)。本論文的研究成果為高性能磷光器件的研究提供了更多的材料選擇,同時也促進(jìn)了高性能白光電致發(fā)光器件的發(fā)展。
[Abstract]:Organic electroluminescent devices (OLED) play an important role in the next generation of lighting and display technology for their superior performance. The development of high performance phosphor is an important way to improve the performance of OLED. In this paper, two kinds of high efficiency phosphorescence materials based on metal iridium compounds are designed and synthesized. The photophysical and photochemical properties of these materials are studied. The high performance monochromatic light, white OLED device, based on vacuum evaporation and solution spin-coating method is prepared. The photophysical and electrical properties of a new yellowish-green photoluminescence material, 2bop. were designed and synthesized. The photoluminescence quantum yield of the yellowish-green OLED device. Irppyn 2bop in solution was studied. The photoluminescence peak was at 526 nm. A yellowish green phosphorescent OLED device based on this material has been fabricated by vacuum evaporation. The maximum luminescence efficiency of the device is 43.3 cdr / A (the external quantum efficiency is 18.1cm), and the luminescence peak is located at 538nm.The device performance is the best level of the same kind of devices reported in the literature at present. The maximum luminescence efficiency of the yellowish green phosphor fabricated by solution spin-coating method is 17.8 CD / A 9.1and 2.2. The photophysical and photochemical properties of a new red phosphorescence material, 2bop. have been studied. The luminescence peak of the red OLED device. Irpiqan2bop in the solution is 614 nm and the width of the half peak is 55 nm. The emission peak of red phosphorescence OLED device based on vacuum evaporation method is 623 nm, and the CIE coordinate at 1000 cd/m2 brightness is 0.67 ~ 0.33. The maximum efficiency of the device is 7.2 CD / A ~ (8.5). The red phosphorescence device based on the solution spin-coating method has also obtained good results. A series of high performance fluorescent / phosphorescent white OLED devices based on the above mentioned iridium compounds have been fabricated. The white devices made of blue fluorescent material, yellow-green phosphorescence material Ir(ppy)2bop and red phosphorescence material Ir(piq)3 have excellent performance. The maximum luminescence efficiency obtained by the device is 55.2 cdr / An 49.6 lm / W ~ (20), the maximum CRI is 89, and the CIE coordinate at 1000 cd/m2 brightness is 0.38 ~ 0.46. The integrated performance of this device is one of the best fluorescent / phosphorescent white OLED devices reported in the literature. The white light device made of DPFF / IrPY 2bop and crimson phosphorescence material Ir(piq)2bop also shows good performance. The maximum luminescence efficiency of the device is 44.2 cdr / An 39.6 lm/W and 16.1cm, and the maximum CRI of the device is 81g CIE with a color coordinate of 0.49g. The research results in this paper provide more material choices for the research of high performance phosphorescence devices and promote the development of high performance white photoluminescence devices.
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN383.1

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本文編號：1881510