本文選題：絕緣柵雙極型晶體管 + 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)阻抗模型　； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年05期

【摘要】：對(duì)電力系統(tǒng)設(shè)備或某一部分進(jìn)行寬頻建模的主要目的是分析寬頻干擾信號(hào)對(duì)其正常工作的影響。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以其優(yōu)異的性能正逐漸成為電力系統(tǒng)中不可或缺的組成,現(xiàn)有的IGBT模型因其各方面缺陷在實(shí)際應(yīng)用上存在不適用性,故提出一種可行的IGBT寬頻模型尤為重要。在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)阻抗模型(NIF)基礎(chǔ)上提出一種IGBT快速建模方法,通過(guò)測(cè)量及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,證明了該模型的準(zhǔn)確性。
[Abstract]:The main purpose of the broad frequency modeling for power system equipment or some part is to analyze the influence of broadband interference signal on its normal operation . The insulated gate bipolar transistor ( IGBT ) is becoming an indispensable component in power system .

【作者單位】： 國(guó)網(wǎng)福建省電力有限公司檢修分公司;
【分類號(hào)】：TM743;TN322.8
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本文編號(hào)：1881336