本文選題：準分子激光輻照 + GaN�。� 參考：《北京工業(yè)大學》2015年碩士論文

【摘要】：本文研究采用準分子激光輻照這一快速、靈活、高效的方法對GaN外延材料進行輻照改性實驗,以改善GaN材料的物理性能,并改善以其為基底的LED發(fā)光性能。采用248 nm準分子激光對GaN外延材料進行輻照,并對輻照前后材料的光致發(fā)光譜、陰極射線譜、掃描電鏡圖像及X射線能譜、X射線光電子譜、二次離子質譜以及霍爾效應等進行測試,分析比較激光輻照前后在上述測試中出現(xiàn)的變化,并分析了原因。實驗結果表明:通過準分子激光輻照GaN外延材料可以改善樣品的電學和光學性質,不同激光輻照參數(shù)對于各項測試的結果影響也有所不同。分析了激光輻照對GaN材料改性的機理,嘗試從化學反應的角度解釋準分子激光輻照GaN材料的具體過程。為了說明準分子激光輻照對以GaN材料為基底的LED器件的發(fā)光性能的影響,對經(jīng)過準分子激光輻照后的樣品進行金屬-半導體的歐姆接觸測試,測試結果表明:在適當?shù)妮椪諈?shù)下可以改善金屬與半導體間的歐姆接觸,降低接觸電阻。對輻照后的樣品在不同氣氛下進行快速熱退火處理,結果說明不同退火氣氛對于歐姆接觸的水平影響較大,在氧氣中退火后的樣品,其接觸電阻最大,而在氮氣中退火的樣品的歐姆接觸最理想。在對激光輻照前后的樣品進行的LED發(fā)光性能的測試中,發(fā)現(xiàn):當激光能量密度為600 mJ/cm2以下時,隨著激光輻照能量密度的增加,激光輻照作用使LED器件在同一注入電流下的正向偏壓出現(xiàn)了下降,并且使反向漏電流也同時出現(xiàn)了下降;而在隨后的LED發(fā)光性能測試中,在氮氣中退火的樣品較在氧氣中退火的樣品顯示了更佳的發(fā)光性能。根據(jù)熱場發(fā)射理論,簡要分析了接觸電阻與載流子濃度等電學性質,以及肖特基勢壘高度與金屬-半導體間氧化物層厚度的關系,說明了準分子激光輻照改善歐姆接觸特性的機理。
[Abstract]:In this paper , the effect of laser irradiation on the properties of GaN epitaxial material was studied . The effect of laser irradiation on the properties of GaN epitaxial material was studied .

【學位授予單位】：北京工業(yè)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN304

【參考文獻】

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1 謝世勇,鄭有p，

本文編號：1874038