本文選題：單層 + 磷光��； 參考：《吉林大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：近年來(lái)，單層有機(jī)電致發(fā)光器件(SLOLED)由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制備過(guò)程相對(duì)更簡(jiǎn)便，成為業(yè)界研究的熱點(diǎn)。在SLOLED中，發(fā)光層(EML)既是激子產(chǎn)生、輻射復(fù)合的地方，同時(shí)也起著傳輸載流子的作用，電子、空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入之后，直接傳輸進(jìn)入到發(fā)光層中，輻射復(fù)合發(fā)光。 首先，我們制備了不包含陽(yáng)極修飾層和包含不同陽(yáng)極修飾層的SLOLED，陽(yáng)極修飾材料采用MoO3和PEDOT:PSS，器件結(jié)構(gòu)為ITO/空穴注入層(HIL)/POAPF:Firpic (10%,100nm)/LiF (0.5nm)/Mg:Ag，其中，以PEDOT:PSS為陽(yáng)極修飾材料的單層器件，性能最佳，以類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，我們還制備了綠光、紅光SLOLED。對(duì)于單層藍(lán)光OLED，其電致發(fā)光光譜(EL)與傳統(tǒng)的以Firpic藍(lán)光染料的多層器件有區(qū)別，來(lái)自側(cè)峰的發(fā)光有所增強(qiáng)。針對(duì)藍(lán)光器件EL光譜變化的問(wèn)題，對(duì)EML的厚度進(jìn)行了調(diào)整，又制備了EML厚度為60、70、80和90nm的器件，隨著厚度的變化，器件的EL光譜也隨之發(fā)生改變，來(lái)自側(cè)峰的強(qiáng)度隨著EML厚度的變薄而減弱。其中EML厚度為70nm的器件，其EL光譜接近傳統(tǒng)的多層器件的EL光譜，器件效率也比較高。針對(duì)EL光譜變化的現(xiàn)象，我們進(jìn)行了理論分析與實(shí)驗(yàn)探究，發(fā)現(xiàn)這是由于器件內(nèi)部的弱微腔效應(yīng)導(dǎo)致的。 然后，基于上面的結(jié)果，將EML厚度控制在70nm，采用雙摻雜的方式，制備了三組白光OLED，與Firpic光譜互補(bǔ)的染料選用了PO-01、PQ2Ir和Ir(BT)2acac，制得的三組白光OLED中，以PO-01和Firpic組合所得的白光OLED器件效率最高，在1000cd/m2的亮度下，器件的功率效率為20.9lm/W，在5000cd/m2的高亮度下，器件功率效率仍能達(dá)到14.5lm/W。此外，以Ir(BT)2acac和Firpic組合所得的白光OLED，其光譜性能最好，，隨著驅(qū)動(dòng)電壓的變化，器件的光譜改變甚小。 最后，考慮到PEDOT:PSS是一種酸性材料，它的存在會(huì)影響器件的穩(wěn)定性，因此擬采用另外一種材料來(lái)取代PEDOT:PSS，本課題中我們采用HAT-CN，器件結(jié)構(gòu)為ITO/HAT-CN (xnm)/POAPF:Firpic (10%,100nm)/LiF(0.5nm)/Mg:Ag。通過(guò)調(diào)節(jié)HAT-CN的厚度來(lái)研究其空穴注入效果，發(fā)現(xiàn)當(dāng)HAT-CN的厚度超過(guò)10nm時(shí)，器件性能變得較差，在HAT-CN厚度為3nm左右時(shí)，獲得了較優(yōu)的器件性能，此時(shí)的器件效率可以與以PEDOT:PSS為陽(yáng)極修飾材料時(shí)的器件相比擬。
[Abstract]:In recent years, monolayer organic electroluminescent devices (SLOLED) have become a hot research area because of their simple structure and simpler preparation process. In SLOLED, the emitter layer (SLOLED) is not only the place where excitons are produced and radially recombined, but also the transport carriers. After the electrons and holes are injected from cathode and anode respectively, they are transported directly into the luminescence layer, and the emission recombination luminescence is obtained. First of all, we have prepared SLOLED without anodic modification layer and different anodic modification layer. The anode modification material is made of MoO3 and PEDOT: PSS, and the device structure is ITO/ hole injection layer / POAPFF: Firpic 1010 / 100nm-1 / lif 0.5 nmr / mg: Ag. among them, the single layer device with PEDOT:PSS as anode modifier has the best performance. With similar structures, we also prepared green and red light SLOLED. For single layer blue Ole, the electroluminescent spectra are different from the traditional multilayer devices with Firpic blue dye, and the luminescence from the side peak is enhanced. Aiming at the change of El spectrum of blue light device, the thickness of EML is adjusted, and the device with EML thickness of 6070 / 80 and 90nm is fabricated. The El spectrum of the device changes with the change of thickness. The intensity from the side peak weakens with the thickness of EML. The El spectra of EML with 70nm thickness are similar to those of conventional multilayer devices, and the device efficiency is also high. According to the phenomenon of El spectrum variation, we have carried out theoretical analysis and experimental investigation. It is found that this phenomenon is caused by the weak microcavity effect inside the device. Then, based on the above results, the thickness of EML was controlled at 70 nm, and three groups of white light Ole D were prepared by double doping. The dyes complementary to Firpic spectra were selected PO-01 PQ _ 2Ir and Irn _ B _ T _ 2acac.Three groups of white light OLED were prepared. The white light OLED device with PO-01 and Firpic has the highest efficiency. Under the brightness of 1000cd/m2, the power efficiency of the device is 20.9lm / r W, and the power efficiency of the device can reach 14.5lm / W under the high brightness of 5000cd/m2. In addition, the white light Ole with Ir(BT)2acac and Firpic has the best spectral performance. With the change of driving voltage, the spectral change of the device is very small. Finally, considering that PEDOT:PSS is an acidic material, its existence will affect the stability of the device, so we propose to use another material to replace PEDOT: PSS. In this paper, we use HAT-CN.The device structure is ITO/HAT-CN / POAPF: Firpic 1010nm/ LiF0.5nm / mg: Ag. By adjusting the thickness of HAT-CN to study the hole injection effect, it is found that when the thickness of HAT-CN exceeds that of 10nm, the performance of the device becomes worse, and when the thickness of HAT-CN is about 3nm, the better performance of the device is obtained. The device efficiency can be compared with that when PEDOT:PSS is used as anode modification material.
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TN383.1

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1862357