本文選題：Ge組分分布 + 鍺硅/鍺硅碳��； 參考：《微電子學(xué)》2017年01期

【摘要】：對高頻下的SiGe HBT器件擊穿特性進行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影響器件擊穿特性的基區(qū)Ge分布與集電區(qū)摻雜濃度超結(jié)結(jié)構(gòu)。在3種不同Ge分布下,仿真結(jié)果表明,基區(qū)Ge的均勻分布有利于提高擊穿電壓;同時將超結(jié)結(jié)構(gòu)引入集電區(qū)后,SiGe HBT器件的擊穿電壓提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
[Abstract]:The breakdown characteristics of SiGe HBT devices at high frequency are studied. Based on the TCAD simulation tool, the GE distribution in the base region and the doping concentration superjunction structure in the collector region which affect the breakdown characteristics of the devices are analyzed. Under three different GE distributions, the simulation results show that the uniform distribution of GE in the base region is beneficial to increase the breakdown voltage, and the breakdown voltage of SiGe HBT device is increased by 36 times from 2.5 V to 3.4 V when the overjunction structure is introduced into the collector region.
【作者單位】： 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院;模擬集成電路重點實驗室;
【基金】：模擬集成電路重點實驗室基金資助項目(0C09YJTJ1501)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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