本文選題：長(zhǎng)波碲鎘汞 + 表面鈍化��； 參考：《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》2017年03期

【摘要】：采用不同工藝生長(zhǎng)了CdTe/ZnS復(fù)合鈍化層,制備了相應(yīng)的長(zhǎng)波HgCdTe柵控二極管器件并進(jìn)行了不同條件下I-V測(cè)試分析.結(jié)果表明,標(biāo)準(zhǔn)工藝制備的器件界面存在較高面密度極性為正的固定電荷,在較高的反偏下形成較大的表面溝道漏電流,對(duì)器件性能具有重要的影響.通過(guò)鈍化膜生長(zhǎng)工藝的改進(jìn)有效減小了器件界面固定電荷面密度,使HgCdTe表面從弱反型狀態(tài)逐漸向平帶狀態(tài)轉(zhuǎn)變,表面效應(yīng)得到有效抑制,器件反向特性獲得顯著改善.此外,基于最優(yōu)的工藝條件制備的器件界面態(tài)陷阱數(shù)量得到大幅降低,器件穩(wěn)定性增強(qiáng);同時(shí)器件R_0A隨柵壓未發(fā)生明顯地變化.
[Abstract]:The CdTe/ZnS composite passivating layer was grown by different processes. The corresponding long-wave HgCdTe gate controlled diode devices were fabricated and the I-V measurements were carried out under different conditions. The results show that there is a fixed charge with positive polarity of higher surface density at the interface of the device prepared by the standard process, and a large surface channel leakage current is formed under the higher reverse bias, which has an important effect on the device performance. Through the improvement of passivation film growth process, the fixed charge surface density at the interface of the device is effectively reduced, the surface of HgCdTe is gradually changed from a weak inversion state to a flat band state, the surface effect is effectively suppressed, and the reverse characteristics of the device are significantly improved. In addition, the number of interfacial state traps prepared based on the optimal process conditions is greatly reduced, and the device stability is enhanced, while the device R _ (0) A does not change significantly with the gate voltage.
【作者單位】： 昆明物理研究所;
【基金】：國(guó)防973項(xiàng)目(613230) 云南省創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)計(jì)劃(2014HC020)~~
【分類號(hào)】：TN215;TN31

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1840245