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不同晶面單晶硅在飛秒激光作用下的行為特性

發(fā)布時間:2018-05-03 21:13

  本文選題:激光制造 + 飛秒激光 ; 參考:《中國激光》2017年01期


【摘要】:不同晶面單晶硅的物理性能和化學(xué)性能的微小差異會對微納加工結(jié)果產(chǎn)生明顯影響。利用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù),研究了不同晶面單晶硅在飛秒激光作用下的行為特性。結(jié)果表明,(111)面單晶硅在飛秒激光能量密度低于和高于破壞閾值時分別形成非晶區(qū)和刻蝕區(qū),而(100)面單晶硅在不同能量飛秒激光的作用下只形成刻蝕區(qū)。飛秒激光在微納加工領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,對晶體材料的不同晶面在飛秒激光作用下的行為特性的研究有助于制造新型微納器件。
[Abstract]:The difference in physical and chemical properties of monocrystalline silicon with different crystal faces will have a significant effect on the results of micro-nano fabrication. The behavior of monocrystalline silicon with different crystal faces under femtosecond laser irradiation was studied by electron backscattering diffraction (EBSD) technique. The results show that monocrystalline silicon forms amorphous region and etching zone when the energy density of femtosecond laser is lower than or above the damage threshold, while the etching zone is formed only by femtosecond laser with different energy. Femtosecond laser has been widely used in the field of micro and nano fabrication. The study of the behavior of different crystal surfaces under the action of femtosecond laser is helpful to fabricate new micro / nano devices.
【作者單位】: 北京工業(yè)大學(xué)激光工程研究院高功率激光先進(jìn)制造實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51675013) 北京市自然科學(xué)基金(3152004) 北京市科技新星計劃(Z141104001814109)
【分類號】:TN249;TN304.12

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本文編號:1840103


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