本文選題：功率開(kāi)關(guān)器件 + 絕緣柵　； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年08期

【摘要】：絕緣柵氮化鎵(GaN)基平面功率開(kāi)關(guān)器件是下一代GaN功率電子技術(shù)的最佳選擇。在此從Si基GaN金屬絕緣體(氧化物)半導(dǎo)體(MIS/MOS)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件面臨的界面態(tài)和增強(qiáng)型柵產(chǎn)業(yè)化制備等方面入手,介紹了絕緣柵GaN基器件表界面態(tài)工程,高可靠柵介質(zhì)及兼容互補(bǔ)MOS(CMOS)工藝的大尺寸Si基GaN器件制造等技術(shù)的研究進(jìn)展,為絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:The insulated gate gallium nitride (gan)-based planar power switch is the best choice for the next generation GaN power electronics technology. In this paper, the interface state of Si-based GaN metal insulator (oxide) semiconductor (MOS) high electron mobility transistor (HEMTT) and the industrialized fabrication of enhanced gate are introduced. The surface interfacial state engineering of insulating gate GaN based device is introduced. The research progress of high-reliability gate dielectric and large-size Si-based GaN devices compatible with complementary MOSMOS) technology has laid a foundation for the industrial application of insulated gate GaN based planar power switch devices.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中科院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目(QYZDB-SSWJSC012,Y7YT024002) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61474138,11634002,61534007,61527816,61404163,61334002)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1807149