本文選題：低溫多晶硅薄膜晶體管 + 電流模型�。� 參考：《蘇州大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：本文綜合地研究LTPS TFT的電流模型,在前人的基礎(chǔ)上對(duì)部分模型進(jìn)行優(yōu)化,如對(duì)亞閾值電流輸出特性的關(guān)注。通過實(shí)驗(yàn)觀測(cè),我們發(fā)現(xiàn)在亞閾值區(qū)中也存在一個(gè)飽和電壓,該電壓點(diǎn)主要受載流子的速度飽和效應(yīng)影響。本文還將所有區(qū)域的電流模型整合起來,以便于模型的實(shí)際應(yīng)用。將開態(tài)電流模型應(yīng)用于分析最基礎(chǔ)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路——2T1C像素電路中。我們可以明確的計(jì)算出像素電路的充電時(shí)間、驅(qū)動(dòng)電流,估算器件的退化效應(yīng)和由寄生電容引起的電荷注入效應(yīng)、時(shí)鐘饋通效應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響。開態(tài)電流模型的參數(shù)物理意義明確,且數(shù)目較少。該模型可用于電路設(shè)計(jì)的初步預(yù)估,即在已知的驅(qū)動(dòng)模式下,通過該方法我們就可以判斷LTPS TFT器件是否能夠滿足驅(qū)動(dòng)的需求。我們將LTPS TFT的電流模型應(yīng)用于仿真軟件中,自動(dòng)化地分析和設(shè)計(jì)電路。首先,我們用Verilog-A語言正確的描述出LTPS TFT的電流和電壓行為,再使用與Verilog-A兼容的Hspice仿真器,分析像素電路特性。我們選用較為典型的電壓驅(qū)動(dòng)型像素電路和電流驅(qū)動(dòng)型電路各一組來進(jìn)行示范。直流分析,選定恰當(dāng)?shù)碾娐饭ぷ鼽c(diǎn);瞬態(tài)仿真,觀察電路中各個(gè)節(jié)點(diǎn)的動(dòng)態(tài)響應(yīng),模擬像素電路的實(shí)際工作情況。經(jīng)過優(yōu)化提高的器件電流模型完全可以應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)。
[Abstract]:In this paper, the current model of LTPS TFT is studied synthetically, and some of the models are optimized on the basis of previous studies, such as the attention to the subthreshold current output characteristics. It is found that there is also a saturation voltage in the sub-threshold region, which is mainly affected by the carrier velocity saturation effect. In this paper, the current models in all regions are integrated to facilitate the practical application of the model. The open state current model is applied to the basic AMOLED pixel drive circuit 2T 1C pixel circuit. We can calculate the charging time, the driving current, the degradation effect of the device, the charge injection effect caused by the parasitic capacitance, and the effect of the clock feedthrough effect on the driving current. The physical meaning of the open current model is clear and the number is small. This model can be applied to the preliminary prediction of circuit design, that is, under the known driving mode, we can judge whether the LTPS TFT device can meet the driving requirements by this method. The current model of LTPS TFT is applied to the simulation software, and the circuit is analyzed and designed automatically. First, we describe the current and voltage behavior of LTPS TFT correctly with Verilog-A language, and then use Hspice simulator compatible with Verilog-A to analyze the characteristics of pixel circuits. We choose typical voltage-driven pixel circuit and current-driven circuit to demonstrate. DC analysis, select the appropriate circuit operating point, transient simulation, observe the dynamic response of each node in the circuit, simulate the actual work of pixel circuit. The improved device current model can be used in practical production.
【學(xué)位授予單位】：蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN383.1

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本文編號(hào)：1793127