本文選題：納米光電材料　切入點(diǎn)：太陽(yáng)能　出處：《光子學(xué)報(bào)》2017年01期

【摘要】：采用一步銀銅雙原子金屬輔助化學(xué)腐蝕法,室溫下在多晶硅表面制備納米陷光結(jié)構(gòu),再利用納米結(jié)構(gòu)修正溶液在溫度為50℃時(shí)對(duì)硅片進(jìn)行各向異性重構(gòu),可控制備出不同尺寸的倒金字塔陷光結(jié)構(gòu).用分光光度計(jì)測(cè)量了多晶硅表面的反射率,用掃描電鏡觀察了多晶硅表面形貌,用少子壽命測(cè)試儀測(cè)量了多晶硅鈍化后的少子壽命.結(jié)果表明:影響倒金字塔結(jié)構(gòu)尺寸的主要影響因素是制備態(tài)黑硅納米結(jié)構(gòu)的深度,當(dāng)深度越深,最終形成的結(jié)構(gòu)尺寸也越大;納米結(jié)構(gòu)修正溶液重構(gòu)時(shí)間越長(zhǎng),所形成的倒金字塔結(jié)構(gòu)尺寸越大,反射率也變大;經(jīng)原子層沉積鈍化后的倒金字塔結(jié)構(gòu)中少子壽命隨其尺寸的增大而增加;當(dāng)?shù)菇鹱炙呴L(zhǎng)為600nm時(shí)綜合效果最佳,反射率為9.87%,少子壽命為37.82μs.
[Abstract]:A one-step silver copper diatomic metal-assisted chemical etching method was used to prepare nano-trapping structure on polycrystalline silicon surface at room temperature. The nanostructure correction solution was used to reconstruct the anisotropy of silicon wafer at 50 鈩，

本文編號(hào)：1726340