本文選題：量子點(diǎn)發(fā)光二極管　切入點(diǎn)：厚度　出處：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年01期

【摘要】：針對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)中載流子注入不平衡的問題,對(duì)空穴和電子在量子點(diǎn)層的注入速率進(jìn)行了研究。制備了不同電子傳輸層厚度、結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED樣品。Alq_3厚度由25 nm逐步遞增至45 nm時(shí),器件的開啟電壓升高,器件均發(fā)出量子點(diǎn)的紅光。當(dāng)Alq_3厚度為30nm時(shí),器件的電流效率最高。此時(shí),空穴和電子在量子點(diǎn)層的注入速率達(dá)到相對(duì)平衡。為進(jìn)一步研究器件的發(fā)光特性,在QDs和Alq_3接觸界面嵌入電子阻塞層TPD。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)TPD的厚度為1 nm時(shí),器件發(fā)出紅光;當(dāng)TPD厚度為3 nm和5 nm時(shí),器件開始出現(xiàn)綠光。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在選取電子阻塞層時(shí),應(yīng)選擇LUMO較低的材料且阻塞層的厚度必須很薄。
[Abstract]:In order to solve the problem of carrier injection imbalance in quantum dot light-emitting diode (QLED), the injection rate of holes and electrons in quantum dot layer is studied.Different thickness of electron transport layer was prepared. When the thickness of QLED 路AlqS3 with ITO/PEDOT:PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al structure increased from 25 nm to 45 nm, the opening voltage of the device increased and the red light of quantum dots was emitted.When the thickness of Alq_3 is 30nm, the current efficiency of the device is the highest.At this point, the injection rate of holes and electrons in the quantum dot layer reaches a relative equilibrium.In order to further study the luminescence characteristics of the device, the electronic blocking layer is embedded in the contact interface of QDs and Alq_3.It is found that when the thickness of TPD is 1 nm, the device emits red light, and when the thickness of TPD is 3 nm and 5 nm, the green light begins to appear.The experimental results show that when the electron blocking layer is selected, the material with lower LUMO should be selected and the thickness of the barrier layer must be very thin.
【作者單位】： 北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;北京信息科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973)(2015CB654605)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：TN312.8

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本文編號(hào)：1726411