本文選題：類超結(jié)　切入點(diǎn)：階梯摻雜　出處：《微電子學(xué)》2017年04期

【摘要】：提出了一種階梯摻雜P柱區(qū)二維類超結(jié)LDMOS結(jié)構(gòu)。漂移區(qū)采用P/N柱交替摻雜的方式形成縱向類超結(jié)。漂移區(qū)的P柱采用摻雜濃度從源端到漏端逐漸變低的變摻雜結(jié)構(gòu)。這種變摻雜P柱區(qū)的引入對襯底輔助耗盡效應(yīng)所帶來的電荷不平衡問題進(jìn)行了調(diào)制,使得漂移區(qū)可以充分耗盡,提高了耐壓。P區(qū)變摻雜可以提高N區(qū)濃度,降低了導(dǎo)通電阻。與常規(guī)二維類超結(jié)LDMOS結(jié)構(gòu)相比,擊穿電壓提高了30%,導(dǎo)通電阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓與導(dǎo)通電阻的良好折中。
[Abstract]:A two dimensional superjunction LDMOS structure with step doped P column region is proposed.The longitudinal superjunction was formed in the drift region by P / N column doping alternately.The P column in the drift region is a variable doped structure with low doping concentration from source to drain.The introduction of the variable doped P column region modulates the charge imbalance caused by the substrate assisted depletion effect, which makes the drift region fully depleted, and increases the voltage. P region variation doping can increase the N region concentration and reduce the on-resistance.Compared with the conventional two-dimensional over-junction LDMOS structure, the breakdown voltage is increased by 30%, the on-resistance is decreased by 10.5%, and the on-resistance is increased by 87.6%, thus achieving a good compromise between the breakdown voltage and the on-resistance.
【作者單位】： 南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61274080)
【分類號】：TN386.1

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本文編號：1725236