本文選題：ESD　切入點(diǎn)：GGNMOS　出處：《微電子學(xué)》2017年01期

【摘要】：基于單指條柵接地N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GGNMOS)在靜電放電(ESD)時(shí)的物理級(jí)建模方法,仿真分析了版圖參數(shù)和工藝參數(shù)對(duì)器件ESD魯棒性的影響。提出了一種可提高器件ESD保護(hù)性能的優(yōu)化設(shè)計(jì),即硅化擴(kuò)散工藝下帶有N阱的多指條GGNMOS結(jié)構(gòu)。對(duì)單指條器件模型進(jìn)行修正,得到的多指條模型能預(yù)估不同工藝條件下所需的N阱長(zhǎng)度,以滿足開(kāi)啟電壓Vt1小于熱擊穿電壓Vt2的設(shè)計(jì)規(guī)則。由仿真結(jié)果可知,對(duì)于一個(gè)0.35μm工藝下的10指條GGNMOS,通過(guò)減小柵極長(zhǎng)度(L)、提高襯底摻雜濃度(N_(BC))和漏極摻雜濃度(N_E),以及從修正模型中得到合適的N阱長(zhǎng)度,均可以增強(qiáng)器件的ESD魯棒性。
[Abstract]:Based on the physical level modeling method of single-finger grid-grounded N-type field-effect transistor (GGNMOS) during electrostatic discharge (ESD), the effects of layout parameters and process parameters on the robustness of ESD are simulated and analyzed.In this paper, an optimal design for improving the ESD protection performance of devices is proposed, that is, the multi-finger GGNMOS structure with N-well in silicification diffusion process.By modifying the single-finger device model, the multi-finger strip model can predict the N-well length required under different process conditions, so as to satisfy the design rule that the opening voltage Vt1 is smaller than the thermal breakdown voltage Vt2.The simulation results show that for a 10 finger GGNMOSs in a 0.35 渭 m process, by reducing the gate length, increasing the substrate doping concentration, increasing the substrate doping concentration and the drain doping concentration, we can obtain the appropriate N well length from the modified model.Both can enhance the ESD robustness of the device.
【作者單位】： 廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院;廣西相對(duì)論天體物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(U1431109) 廣西自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(桂科基2015GXNSFDA139002) 廣西大學(xué)科研基金資助項(xiàng)目(XJZ120269)
【分類號(hào)】：TN386

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1724972