本文選題：薄膜晶體管　切入點(diǎn)：非晶硅　出處：《上海交通大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：隨著平板顯示技術(shù)的快速發(fā)展,高分辨率和低功耗成為了新的技術(shù)趨勢,這與工藝參數(shù)、面板材料、功耗設(shè)計(jì)等有著極大的關(guān)系。非晶硅(a-Si)薄膜作為薄膜晶體管(TFT)的有源層,其良好的性能對(duì)TFT的電學(xué)特性起到了非常重要的作用。高性能的a-Si TFT是整個(gè)有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示器(AMLCD)的基礎(chǔ)。本文從實(shí)驗(yàn)以及理論方面入手,對(duì)非晶硅薄膜及器件的工藝進(jìn)行了比較深入的研究。我們采用等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備制備了非晶硅薄膜及相關(guān)TFT器件,并在此基礎(chǔ)上對(duì)工藝參數(shù)和器件特性之間的關(guān)系進(jìn)行了研究。首先,研究了柵絕緣層工藝參數(shù)對(duì)器件的影響,通過改變柵絕緣層氣體配比,我們發(fā)現(xiàn)隨著NH3及N2單位氣體配比的增加,a-Si TFT的電學(xué)特性得到大幅的提升,研究得出氣體配比為Si H4:NH3:N2=1:2:30時(shí),TFT器件電學(xué)特性最佳;且柵絕緣層適當(dāng)?shù)臏p少膜厚,有利提升TFT電學(xué)特性。其次,我們研究了有源層的工藝參數(shù)對(duì)器件的影響,研究表明溝道層a-Si膜厚的變化對(duì)TFT電學(xué)特性的影響,找出了溝道內(nèi)最佳的a-Si蝕刻剩余厚度,a-Si蝕刻厚度約為鍍膜厚度的50%時(shí),TFT器件電學(xué)特性最佳;并且研究了a-Si氣體配比中H含量的適當(dāng)增加有利于TFT電學(xué)特性,最佳氣體配比為Si H4:H2=1:4.5。再次,研究了柵絕緣層與有源層界面及背溝道界面的氣體等離子體修飾,發(fā)現(xiàn)H2等離子體處理對(duì)電學(xué)特性有提升。最后,通過研究發(fā)現(xiàn)了不同的退火溫度對(duì)TFT的電學(xué)特性具有顯著影響,退火溫度為350℃時(shí),TFT電學(xué)特性最佳。
[Abstract]:With the rapid development of flat panel display technology , high resolution and low power consumption have become a new technology trend , which is very important to process parameters , panel materials , power consumption design , etc .

【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：1688937