本文選題：DE類功率放大器　切入點(diǎn)：金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管　出處：《北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報》2016年02期

【摘要】：為了進(jìn)一步增強(qiáng)電磁超聲激勵源的激發(fā)效能,提高電磁超聲換能器的工作效率,基于射頻技術(shù)提出了一種DE類射頻功率放大器,通過采用隔離電源方法,有效地解決了高邊金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的"浮地"問題,實(shí)現(xiàn)了高頻隔離.通過分析MOSFET開關(guān)工作狀態(tài)及控制特性,確立了MOSFET開關(guān)的基本工作過程,從而建立了一種MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計方法.通過對關(guān)鍵元件的選型設(shè)計與算法研究,構(gòu)建了DE類功率放大器的驅(qū)動電路.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:設(shè)計的MOSFET驅(qū)動電路的輸出信號電壓幅值為13.4 V,占空比50%,頻率為1MHz,輸出信號穩(wěn)定,實(shí)現(xiàn)了對MOSFET的可靠驅(qū)動,能夠滿足實(shí)際應(yīng)用.
[Abstract]:In order to further enhance the excitation efficiency of the electromagnetic ultrasonic excitation source and improve the working efficiency of the electromagnetic ultrasonic transducer , a kind of DE class radio frequency power amplifier is put forward based on the radio frequency technology . The basic working process of the MOSFET switch is established by analyzing the working state and the control characteristic of the MOSFET . The experimental results show that the output signal voltage amplitude of the MOSFET driving circuit is 13.4 V , the duty ratio is 50 % , the frequency is 1 MHz , the output signal is stable , the reliable driving of the MOSFET is realized , and the practical application can be met .

【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程與應(yīng)用電子技術(shù)學(xué)院;
【基金】：北京市科學(xué)技術(shù)委員會首都科技條件平臺資助項(xiàng)目(Z141100003414001)
【分類號】：TN722.75

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本文編號：1688936