本文選題：高壓LED　切入點：光譜　出處：《光譜學與光譜分析》2017年01期

【摘要】：高壓LED因其自身突出的特點在照明領域有著潛在的應用優(yōu)勢,但作為一種新型功率LED,其光電熱特性仍需深入研究。該實驗對6和9V GaN基高壓LED芯片進行了相同結構和工藝條件的封裝,對封裝樣品進行了10~70℃的變溫度光譜測試,并進行了從控溫平臺溫度到器件結溫的轉換。為保證器件的電流密度相同,6和9V樣品光譜測試的工作電流分別設定為150和100mA。結果顯示,結溫升高會導致藍光峰值波長紅移、波長半高寬增大、光效下降和顯色指數上升等現象。在相同平臺溫度和注入功率下,9V樣品的結溫低于6V樣品;隨著溫度的升高,9V樣品波長半高寬的增加量比6V樣品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),顯色指數上升量少0.28。以上表明,與低壓LED相比,高壓LED有著更低的工作結溫和更小的溫度影響。原因在于,相同環(huán)境溫度下高壓LED具有更好的電流擴展性和更少的發(fā)熱量。此特性在高壓LED的研究、發(fā)展與應用等方面具有參考價值。此外,峰值波長仍與結溫有著較好的線性度,在光譜設備精度較高的情況下可繼續(xù)作為結溫的敏感參數。
[Abstract]:High voltage LED has potential advantages in the field of lighting because of its outstanding characteristics. However, as a new type of power LED, its photoelectric thermal properties need to be further studied. In this experiment, the 6 and 9V GaN based high voltage LED chips are encapsulated with the same structure and process conditions, and the package samples are tested by varying temperature spectrum at 1070 鈩，

本文編號：1659340