本文選題：氮化鎵器件　切入點：電力電子系統(tǒng)　出處：《電力電子技術(shù)》2017年09期

【摘要】：氮化鎵(GaN)器件由于其卓越的開關(guān)特性,被逐漸應(yīng)用于10 kW及以上系統(tǒng)。器件并聯(lián)技術(shù)能夠進一步降低GaN器件的導通損耗,增加系統(tǒng)的功率容量,開始成為工業(yè)界關(guān)注的重點。由于其極快的開關(guān)速度,GaN器件并聯(lián)的主要挑戰(zhàn)在于對其功率回路及驅(qū)動回路寄生參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計。探討了并聯(lián)器件特性及寄生參數(shù)對開關(guān)特性的影響,并詳細給出了基于四管并聯(lián)240 A/650V的半橋模塊參考設(shè)計,雙脈沖實驗驗證了半橋模塊在額定電流下的開關(guān)特性。
[Abstract]:Gallium nitride gan (gan) devices have been gradually used in 10 kW and above systems due to their excellent switching characteristics. The parallel technology of the devices can further reduce the on-loss of GaN devices and increase the power capacity of the system. The main challenge of parallel connection of GaN devices with extremely fast switching speed is to optimize the parasitic parameters of power and drive circuits. The characteristics and parasitic parameters of parallel devices are discussed. The effect on the switching characteristics, The reference design of half bridge module based on four parallel 240A / 650V is given in detail. The switch characteristic of half bridge module under rated current is verified by double pulse experiment.
【作者單位】： GaN
【分類號】：TN303

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本文編號：1659384