本文選題：SiC金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件　切入點：零時擊穿(TZDB)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：SiC金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件中SiO_2柵氧化層的可靠性直接影響器件的功能。為了開發(fā)高可靠性的柵氧化層,將n型4H-SiC(0001)外延片分別在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5種溫度下進行高溫干氧氧化實驗來制備SiO_2柵氧化層。在室溫下,對SiC MOS電容樣品的柵氧化層進行零時擊穿(TZDB)和與時間有關(guān)的擊穿(TDDB)測試,并對不同干氧氧化溫度處理下的柵氧化層樣品分別進行了可靠性分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在1 250℃下進行高溫干氧氧化時所得的擊穿場強和擊穿電荷最大,分別為11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm~2,勢壘高度(2.43 eV)最接近理論值。當溫度高于1 250℃時生成的SiO_2柵氧化層的可靠性隨之降低。
[Abstract]:The reliability of SiO_2 gate oxide in SiC metal oxide semiconductor (MOS) devices directly affects the function of the device. N type 4H-SiCn001) epitaxial wafers were prepared by high temperature dry oxygen oxidation at 1 200 鈩，

本文編號：1585839