本文選題：SiC金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件　切入點(diǎn)：零時(shí)擊穿(TZDB)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：SiC金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件中SiO_2柵氧化層的可靠性直接影響器件的功能。為了開發(fā)高可靠性的柵氧化層,將n型4H-SiC(0001)外延片分別在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5種溫度下進(jìn)行高溫干氧氧化實(shí)驗(yàn)來制備SiO_2柵氧化層。在室溫下,對(duì)SiC MOS電容樣品的柵氧化層進(jìn)行零時(shí)擊穿(TZDB)和與時(shí)間有關(guān)的擊穿(TDDB)測(cè)試,并對(duì)不同干氧氧化溫度處理下的柵氧化層樣品分別進(jìn)行了可靠性分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在1 250℃下進(jìn)行高溫干氧氧化時(shí)所得的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和擊穿電荷最大,分別為11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm~2,勢(shì)壘高度(2.43 eV)最接近理論值。當(dāng)溫度高于1 250℃時(shí)生成的SiO_2柵氧化層的可靠性隨之降低。
[Abstract]:The reliability of SiO_2 gate oxide in SiC metal oxide semiconductor (MOS) devices directly affects the function of the device. N type 4H-SiCn001) epitaxial wafers were prepared by high temperature dry oxygen oxidation at 1 200 鈩，

本文編號(hào)：1585839