本文選題：量子點(diǎn)發(fā)光二極管　切入點(diǎn)：隧穿注入　出處：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為降低量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)的開啟電壓,提高器件性能,利用電子傳輸性能良好的氧化鋅(ZnO)作為電子傳輸層,制備了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED樣品。在該器件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,采用隧穿注入和空間電荷限制電流模型仿真分析了載流子在量子點(diǎn)(QDs)層的電流密度。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)ZnO厚度為50 nm時(shí),poly-TPD的理論最優(yōu)厚度為40 nm,載流子在QDs層的注入達(dá)到相對(duì)平衡。通過測試器件的電流密度-電壓-亮度-發(fā)光效率特性,研究了空穴傳輸層厚度對(duì)QLED器件性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)空穴傳輸層厚度為40 nm時(shí),器件的開啟電壓為1.7 V,最大發(fā)光效率為1.18 cd/A。在9 V電壓下,器件最大亮度達(dá)到5 225 cd/m~2,遠(yuǎn)優(yōu)于其他厚度的器件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果基本吻合。
[Abstract]:In order to reduce the opening voltage of QLED) and improve the device performance, QLED samples with ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al structure were prepared by using zinc oxide (ZnO), which has good electron transport performance, as the electron transport layer. Using tunneling injection and space charge-limited current model, the current density of the carrier in the quantum dot QDslayer is simulated. When the thickness of ZnO is 50 nm, the theoretical optimal thickness is 40 nm, and the carrier injection in the QDs layer is relatively balanced. The current density, voltage, luminance and luminescence efficiency of the device are measured. The effect of hole transport layer thickness on the performance of QLED devices is studied. The experimental results show that when the hole transport layer thickness is 40 nm, the opening voltage of the device is 1.7 V, and the maximum luminescence efficiency is 1.18 CD / A. The maximum luminance of the device is 5 225 CD / m ~ 2, which is much better than that of other thickness devices. The experimental results are in good agreement with the simulation results.
【作者單位】： 北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;北京信息科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院;
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973)(2015CB654605)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：TN312.8

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