本文選題：硅外延層　切入點(diǎn)：均勻性　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為適應(yīng)肖特基二極管降低正向?qū)妷汉椭圃斐杀镜男枰?采用150mm的摻P硅拋光片為襯底,通過化學(xué)氣相沉積制備高阻硅外延層。利用傅里葉變換紅外線光譜、電容-電壓測試等方法對外延電學(xué)參數(shù)進(jìn)行了測試和分析。對平板式外延爐的流場、熱場與硅外延層厚度、電阻率均勻性的關(guān)系進(jìn)行了研究。在此基礎(chǔ)上采用周期變化的氣流在外延層生長前反復(fù)吹掃腔體,進(jìn)一步降低了非主動摻雜的不良影響,結(jié)合優(yōu)化的流場和熱場條件,最終制備出表面質(zhì)量優(yōu)、均勻性好的外延層,滿足了厚度和電阻率不均勻性都小于1.0%的目標(biāo)需求。采用該外延材料制備的肖特基二極管的正向?qū)妷航档土?7.1%,顯著減小了功耗,具備了良好的應(yīng)用前景。
[Abstract]:In order to meet the need of Schottky diode to reduce the forward conduction voltage and manufacture cost, a high resistance silicon epitaxial layer was prepared by chemical vapor deposition on a 150mm silicon doped silicon polishing wafer. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) was used. The electrical parameters of epitaxy are measured and analyzed by means of capacitance-voltage measurement. The flow field, thermal field and thickness of silicon epitaxial layer in flat plate type epitaxial furnace are studied. The relationship of resistivity uniformity is studied. On the basis of this, periodically varying airflow is used to sweep the cavity repeatedly before growth of the epitaxial layer, which further reduces the adverse effects of non-active doping, and combines with the optimized flow field and thermal field conditions. Finally, an epitaxial layer with excellent surface quality and good uniformity was prepared. Both thickness and inhomogeneity of resistivity are less than 1.0%. The forward on-voltage of Schottky diodes prepared by the epitaxial material is reduced by 17.1. the power consumption is significantly reduced and has a good application prospect.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類號】：TN304

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本文編號：1577868