本文關(guān)鍵詞： 可變?cè)鲆娣糯笃?高線性度 低噪聲 指數(shù)控制電壓　出處：《東南大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：隨著數(shù)字技術(shù)、4G網(wǎng)絡(luò)以及互聯(lián)網(wǎng)等新型傳輸媒體的普及,模擬廣播因其固有的缺點(diǎn)而面臨越來(lái)越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),模擬廣播的數(shù)字化是克服其諸多缺點(diǎn)的最佳選擇。全球數(shù)字廣播系統(tǒng)(Digital Radio Mondiale,DRM)是目前發(fā)展最快的數(shù)字廣播系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)。DRM系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于可以給用戶更多無(wú)失真的音頻體驗(yàn)、降低設(shè)備的功耗和成本并降低電磁污染。因此,DRM接收機(jī)系統(tǒng)的研究對(duì)我國(guó)數(shù)字無(wú)線廣播事業(yè)的發(fā)展具有重要意義。本文研究和設(shè)計(jì)了應(yīng)用于DRM接收機(jī)中射頻前端的VGA(Variable Gain Amplifier)即可變?cè)鲆娣糯笃麟娐�。為了�?shí)現(xiàn)低功耗和低成本的電路設(shè)計(jì)要求,本文采用CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)即互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體工藝進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。系統(tǒng)規(guī)劃要求可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑鲆媾c控制電壓呈dB線性關(guān)系并且需要較大的增益調(diào)節(jié)范圍、低增益時(shí)較高的輸入線性度、高增益時(shí)較低的噪聲、低功耗等性能指標(biāo)。為了能夠使VGA具有較大的增益調(diào)節(jié)范圍,采用兩級(jí)串聯(lián)的Gilbert乘法器單元作為可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑鲆鎲卧?通過(guò)改變乘法器兩路尾電流的大小實(shí)現(xiàn)放大器的增益可調(diào)特性；為了讓放大器的增益與控制電壓呈dB線性關(guān)系,利用工作在線性區(qū)的MOSFET(MOS Field-Effect Transistor)即MOS場(chǎng)效應(yīng)管所具有的電流電壓逼近指數(shù)函數(shù)的特性產(chǎn)生指數(shù)控制電壓。本設(shè)計(jì)的VGA采用SMIC 0.18-μm CMOS工藝完成了版圖設(shè)計(jì)。后仿真結(jié)果表明此可變?cè)鲆娣糯笃鞣现饕O(shè)計(jì)要求。
[Abstract]:With the popularity of digital technology, 4G networks and new transmission media such as the Internet, analog broadcasting is facing more and more serious challenges because of its inherent shortcomings. The digitalization of analog broadcasting is the best choice to overcome its many shortcomings. Digital Radio mondialear DRM is the fastest developing digital broadcasting system standard at present. The advantage of digital broadcasting system is that it can give users more audio experience without distortion. Therefore, the research of DRM receiver system is of great significance to the development of digital radio broadcasting in China. This paper studies and designs RF front-end used in DRM receiver. To achieve low power and low cost circuit design requirements, In this paper, CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor process is used to design the circuit. The system planning requires that the gain of the VGA has a dB linear relationship with the control voltage and requires a large range of gain regulation. High input linearity at low gain, low noise at high gain, low power consumption and so on. The two-stage series Gilbert multiplier unit is used as the gain unit of the variable gain amplifier. The gain adjustable characteristic of the amplifier is realized by changing the size of the tail current of the multiplier, and the gain of the amplifier is linearly correlated with the control voltage. The exponential control voltage is generated by the characteristic of current and voltage approaching exponential function of MOS FET, which works in the linear region of MOSFET(MOS Field-Effect Transistor. The layout design of VGA is completed by SMIC 0.18- 渭 m CMOS process. The post-simulation result table is given. This variable gain amplifier meets the main design requirements.
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN722;TN934.3

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本文編號(hào)：1514709