本文關(guān)鍵詞： 單區(qū)模型 雙區(qū)模型 特征函數(shù) 邊界條件 平均誤差　出處：《現(xiàn)代電子技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：定義一個(gè)平均誤差,該誤差可以估算求解MOSFETs二維雙區(qū)和單區(qū)靜電勢(shì)模型電勢(shì)分布所用源漏端邊界條件的偏差情況。首先根據(jù)長(zhǎng)溝道模型近似確定襯底耗盡層厚度,通過(guò)平均誤差計(jì)算發(fā)現(xiàn)雙區(qū)模型最大源漏偏差遠(yuǎn)小于0.06 V,而單區(qū)模型相應(yīng)的源漏偏差大于0.1 V。當(dāng)器件溝道長(zhǎng)度為亞微米級(jí)時(shí),利用電壓摻雜轉(zhuǎn)換模型的耗盡層厚度計(jì)算方法對(duì)兩種模型做出校正,雙區(qū)電勢(shì)模型在校正后的源漏條件偏差有明顯的減小,單區(qū)模型的源漏偏差卻會(huì)增大,尤其在短溝道以及襯底高摻雜濃度時(shí)誤差較大。結(jié)果表明,雙區(qū)靜電勢(shì)模型更為精準(zhǔn)。
[Abstract]:The definition of an average error, the error can be estimated for MOSFETs two-dimensional and single zone electrostatic potential distribution model with potential source and drain side boundary conditions. According to the deviation of the long channel approximation model to determine the substrate depletion layer thickness, the average error calculation model double source drain maximum error less than 0.06 V. While the corresponding single zone model of source drain deviation is greater than 0.1 V. when the device channel length of sub micron, calculation method of transformation model using the voltage doped depletion layer thickness correction is made of two kinds of model, double potential model in the source drain bias conditions after correction were reduced, single zone model of the source drain but the deviation will increase, especially in the short channel and high substrate doping concentration error. The results show that the double electrostatic potential model is more accurate.

【作者單位】： 華北電力大學(xué)現(xiàn)代電子科學(xué)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61176080)
【分類號(hào)】：TN386

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10 徐俊s，

本文編號(hào)：1513137