本文關(guān)鍵詞： 硅外延材料 均勻性 化學(xué)氣相沉積 快速恢復(fù)外延二極管　出處：《固體電子學(xué)研究與進展》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用PE3061D型平板式外延爐,在150mm的重?fù)紸s的硅單晶襯底上采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法制備參數(shù)可控且高均勻性的外延層,通過聚光燈、原子力顯微鏡(AFM)、傅里葉變換紅外光譜儀(FT-IR)、汞探針電容-電壓測試儀(Hg CV)等測試設(shè)備分別研究了外延層的表面形貌、微粗糙度、厚度、電阻率以及均勻性參數(shù)。采用了基座淺層包硅技術(shù)、周期性滯留層雜質(zhì)稀釋技術(shù)、高溫快速二次本征生長技術(shù)、溫場流場調(diào)控技術(shù)等新型工藝技術(shù),使外延層厚度滿足(15±2%)μm,電阻率滿足(15±2%)Ω·cm的設(shè)計要求,片內(nèi)厚度和電阻率不均勻性達到2%的水平。制備的硅外延材料應(yīng)用于FRED的試產(chǎn),擊穿電壓高于125V,晶圓的成品率達到90%以上,滿足了120VFRED器件使用要求,實現(xiàn)了自主可控。
[Abstract]:An epitaxial layer with controllable parameters and high uniformity was prepared by chemical vapor deposition (CVD) method on a 150mm heavy as doped silicon single crystal substrate in a PE3061D flat type epitaxial furnace. Atomic force microscope (AFM), Fourier transform infrared spectrometer (FTIR), mercury probe capacitance-voltage tester (Hg CVV) and other testing equipment have studied the surface morphology, micro-roughness and thickness of the epitaxial layer, respectively. Resistivity and homogeneity parameters. New technology, such as the technology of base shallow layer inclusion silicon, periodic retention layer impurity dilution technology, high temperature fast secondary growth technology, temperature field flow field control technology and so on, are adopted. The thickness of the epitaxial layer meets the design requirements of 15 鹵2 渭 m and the resistivity of 15 鹵2) 惟 路cm, and the inhomogeneity of the thickness and resistivity reaches 2%. The prepared silicon epitaxial material is used in the trial production of FRED, the breakdown voltage is higher than 125 V, and the finished product rate of the wafer is more than 90%. It meets the requirements of 120 VFRED devices and realizes autonomous and controllable.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【分類號】：TN304.054

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本文編號：1512930