提高二氧化鈦納米管光電活性方法的研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2018-02-14 08:35
本文關(guān)鍵詞: TiO_納米管 改性 光電活性 應(yīng)用 出處:《現(xiàn)代化工》2016年08期 論文類型:期刊論文
【摘要】:綜述了近年來(lái)提高TiO_2納米管光電活性方法的研究進(jìn)展,包括離子摻雜、半導(dǎo)體沉積、光敏化、導(dǎo)電聚合物沉積、貴金屬沉積等。運(yùn)用多種修飾方法對(duì)TiO_2納米管進(jìn)行改性,可使得光生電子-空穴對(duì)復(fù)合率降低,界面電子轉(zhuǎn)移速度加快,有效提高TiO_2納米管的光電活性。
[Abstract]:In this paper, the recent progress in improving the photoactivity of TiO_2 nanotubes is reviewed, including ion doping, semiconductor deposition, Guang Min deposition, conductive polymer deposition, noble metal deposition and so on. Various modification methods are used to modify TiO_2 nanotubes. The photogenerated electron-hole pair recombination rate can be reduced and the electron transfer rate at the interface can be accelerated. The photovoltaic activity of TiO_2 nanotubes can be improved effectively.
【作者單位】: 山東科技大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院;
【分類號(hào)】:TN304.2;TB383.1
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4 ;[J];;年期
,本文編號(hào):1510294
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