本文關(guān)鍵詞： CVD GaN納米線 石墨烯 催化劑 單晶　出處：《半導(dǎo)體光電》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在常壓條件下采用化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)在有石墨烯插入層的襯底上生長(zhǎng)GaN納米線,研究了生長(zhǎng)溫度、石墨烯插入層、催化劑等因素對(duì)GaN納米線的形貌、光學(xué)特性以及結(jié)構(gòu)的影響。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、光致發(fā)光(PL)譜、拉曼(Raman)譜和透射電子顯微鏡(TEM)等表征手段對(duì)GaN納米線的形貌、光學(xué)特性以及結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。結(jié)果表明,在1 100℃條件下,同時(shí)有石墨烯插層和催化劑的襯底表面能夠獲得低應(yīng)力單晶GaN納米線。石墨烯、催化劑對(duì)于獲得低應(yīng)力單晶GaN納米線有重要的作用。
[Abstract]:GaN nanowires were grown on the substrates with graphene inserts by chemical vapor deposition (CVD) under atmospheric pressure. The growth temperature and the intercalation layer of graphene were studied. Effects of catalyst on morphology, optical properties and structure of GaN nanowires. The morphology, optical properties and structure of GaN nanowires were characterized by Raman spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). Both graphene intercalation and the substrate surface of the catalyst can obtain low stress single crystal GaN nanowires. Graphene catalyst plays an important role in obtaining low stress monocrystalline GaN nanowires.
【作者單位】： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家“973”計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0400100,2016YFB0400602) 國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目(2015AA033305) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61274003,61400401,51461135002,61334009) 江蘇省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(BY2013077,BK20141320,BE2015111) 固態(tài)照明與節(jié)能電子學(xué)協(xié)會(huì)同創(chuàng)新中心項(xiàng)目 江蘇高校優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程資助項(xiàng)目 國(guó)網(wǎng)山東電力公司技術(shù)開發(fā)基金項(xiàng)目
【分類號(hào)】：O613.71;TN304.2
【正文快照】： 0引言GaN是直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、熔點(diǎn)高、飽和漂移速度高以及擊穿電場(chǎng)大等優(yōu)點(diǎn),在微波器件、高頻大功率器件以及短波長(zhǎng)藍(lán)光-紫外光發(fā)光器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用[1-2]。同時(shí),由于納米結(jié)構(gòu)具有量子限制效應(yīng)、庫(kù)侖阻塞效應(yīng)以及高的比表面等優(yōu)點(diǎn),GaN納米線已經(jīng)成

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